低 EMI

通過減少輻射發(fā)射，降低系統(tǒng)成本并快速滿足 EMI 標(biāo)準(zhǔn)

電磁干擾 (EMI) 是電子系統(tǒng)中越來越重要的一個關(guān)鍵因素，在汽車和工業(yè)應(yīng)用等新應(yīng)用中尤其如此。低 EMI 設(shè)計可為您顯著縮短開發(fā)周期，同時還可減少電路板面積和解決方案成本。TI 可提供 多種功能和技術(shù)來降低所有相關(guān)頻段的 EMI。

減少過濾器尺寸和成本

●   利用 TI 先進(jìn)的擴(kuò)頻技術(shù)，降低產(chǎn)生的 EMI 所帶來的影響

先進(jìn)的 EMI 緩解技術(shù)可減小無源濾波器的尺寸。

減少設(shè)計時間并降低復(fù)雜性

●   使用低電感封裝、電容器集成和先進(jìn)的柵極驅(qū)動器技術(shù)，從根本上減少源頭產(chǎn)生的輻射發(fā)射

通過封裝內(nèi)的高頻電容器集成來降低輻射噪聲。

需要低 EMI 特性的主要產(chǎn)品類別： 降壓/升壓和反相穩(wěn)壓器、隔離式偏置電源、多通道 IC (PMIC)、降壓穩(wěn)壓器、升壓穩(wěn)壓器

低噪音和高精度

增強(qiáng)電源和信號完整性，以提高系統(tǒng)級保護(hù)和精度為了最大限度地提高系統(tǒng)性能和可靠性，監(jiān)控、調(diào)節(jié)和處理電源鏈中信號的能力至關(guān)重要。高精密系統(tǒng)需要精確的低噪聲基準(zhǔn)電壓，以及低噪聲和低紋波的電源軌。TI 采用專用的工藝元件、先進(jìn)的電路和測試技術(shù)來提高精度并最大限度地減少失真。

噪聲與頻率曲線圖。

減少 IC 誤差源

●   利用 TI 高度優(yōu)化的低噪聲互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體 (CMOS) 工藝來減少工藝的非理想因素

●   利用先進(jìn)的電路和測試技術(shù)來降低工藝非理想因素的影響

●   采用了陶瓷封裝和電路板應(yīng)力管理等先進(jìn)技術(shù)調(diào)節(jié)器件和電路板應(yīng)力。

調(diào)節(jié)器件和電路板應(yīng)力。

系統(tǒng)噪聲消減

●   技術(shù)的進(jìn)步支持通過高電源抑制比 (PSRR) 低壓降穩(wěn)壓器 (LDO) 和片上濾波實(shí)現(xiàn)更高的系統(tǒng)級抗干擾和抗噪性能

高 PSRR 可實(shí)現(xiàn)更好的濾波和更低 的輸出噪聲。

需要低噪聲和高精密特性的主要產(chǎn)品類別: 電池監(jiān)測器和平衡器、線性穩(wěn)壓器 (LDO)、多通道 IC (PMIC)、串聯(lián)電壓基準(zhǔn)、并聯(lián)電壓基準(zhǔn)、監(jiān)控器和復(fù)位 IC