半導體基礎(chǔ)元器件生產(chǎn)領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia宣布推出一系列采用新一代H2技術(shù)的全新高壓氮化鎵場效應(yīng)管。新器件包含兩種封裝，TO-247 和Nexperia專有的CCPAK。兩者均實現(xiàn)了更出色的開關(guān)和導通性能，并具有更好的穩(wěn)定性。由于采用了級聯(lián)結(jié)構(gòu)并優(yōu)化了器件相關(guān)參數(shù)，Nexperia的氮化鎵場效應(yīng)管無需復(fù)雜的驅(qū)動和控制，應(yīng)用設(shè)計大為簡化；使用標準的硅MOSFET 驅(qū)動器也可以很容易地驅(qū)動它們。

新的氮化鎵技術(shù)采用了貫穿外延層的過孔，減少了缺陷并且芯片尺寸可縮小約24%。TO-247 封裝的新器件，導通電阻R_DS(on)降低到僅 41mΩ（最大值，25℃的典型值為 35mΩ），同時具有高的柵級閥值電壓和低反向?qū)妷?。CCPAK封裝的新器件，將導通電阻值進一步降低到39mΩ（最大值，25℃的典型值為 33mΩ）。兩種封裝的新器件均符合 AEC-Q101 標準，可滿足汽車應(yīng)用的要求。

Nexperia氮化鎵戰(zhàn)略營銷總監(jiān) Dilder Chowdhury表示：“客戶需要導通電阻R_DS(on)為30~40m?的650V新器件，以便實現(xiàn)經(jīng)濟高效的高功率轉(zhuǎn)換。相關(guān)的應(yīng)用包括電動汽車的車載充電器、高壓DC-DC直流轉(zhuǎn)換器和發(fā)動機牽引逆變器; 以及1.5~5kW鈦金級的工業(yè)電源，比如:機架裝配的電信設(shè)備、5G設(shè)備和數(shù)據(jù)中心相關(guān)設(shè)備。Nexperia持續(xù)投資氮化鎵開發(fā)，并采用新技術(shù)擴充產(chǎn)品組合。首先為功率模塊制造商提供了傳統(tǒng)的 TO-247封裝器件和裸芯片，并隨后提供我們高性能的CCPAK 貼片封裝的器件?！?/span>

Nexperia 的 CCPAK貼片封裝采用了創(chuàng)新的銅夾片封裝技術(shù)來代替內(nèi)部的封裝引線。這樣可以減少寄生損耗，優(yōu)化電氣和熱性能，并提高可靠性。CCPAK封裝的氮化鎵器件提供頂部或底部散熱兩種配置，使其更通用，并有助于進一步改善散熱。

650V TO-247封裝的GAN041-650WSB 和 CCPAK 封裝的 GAN039-650NBB目前均可提供樣品。