什么是FRAM?
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FRAM（鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）是被稱為FeRAM。這種存儲(chǔ)器采用鐵電質(zhì)膜用作電容器來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。FRAM具有ROM（只讀存儲(chǔ)器）和RAM（隨機(jī)存取器）的特點(diǎn)，在高速讀寫入、高讀寫耐久性、低功耗和防竄改方面具有優(yōu)勢。
本文引用地址：http://www.biyoush.com/article/202005/413194.htm關(guān)于鐵電質(zhì)
下面的圖表解釋了PZT晶體結(jié)構(gòu)，這種結(jié)構(gòu)通常用作典型的鐵電質(zhì)材料。在點(diǎn)陣中具有鋯和鈦，作為兩個(gè)穩(wěn)定點(diǎn)。它們可以根據(jù)外部電場在兩個(gè)點(diǎn)之間移動(dòng)。一旦位置設(shè)定，即使在出現(xiàn)電場，它也將不會(huì)再有任何移動(dòng)。頂部和底部的電極安排了一個(gè)電容器。那么，電容器劃分了底部電極電壓和極化，超越了磁滯回線。數(shù)據(jù)以“1”或“0”的形式存儲(chǔ)。
PZT晶體結(jié)構(gòu)和FRAM工作原理
1、 當(dāng)加置電場時(shí)就會(huì)產(chǎn)生極化。（鋯/鈦離子在晶體中向上或向下移動(dòng)）
2、 即使在不加置電場的情況下，也能保持電極。
3、 兩個(gè)穩(wěn)定的狀態(tài)以“0”或“1”的形式存儲(chǔ)。
存儲(chǔ)器分類中的FRAM
* 非易失性：即使沒有上電，也可以保存所存儲(chǔ)的信息。
優(yōu)勢
與傳統(tǒng)存儲(chǔ)器相比，F(xiàn)RAM具有下列優(yōu)勢：
非易失性
● 即使沒有上電，也可以保存所存儲(chǔ)的信息。
● 與SRAM相比，無需后備電池（環(huán)保產(chǎn)品）
更高速度寫入
● 像SRAM一樣，可覆蓋寫入
● 不要求改寫命令
● 對于擦/寫操作，無等待時(shí)間
● 寫入循環(huán)時(shí)間 =讀取循環(huán)時(shí)間
● 寫入時(shí)間：E2PROM的1/30,000
具有更高的讀寫耐久性
● 確保最大1012次循環(huán)（100萬億循環(huán)）/位的耐久力
● 耐久性：超過100萬次的 E2PROM
具有更低的功耗
● 不要求采用充電泵電路
● 功耗：低于1/400的E2PROM
表1. FRAM和其它器件間規(guī)格差異的比較表
表1. 與其它存儲(chǔ)器產(chǎn)品相比，F(xiàn)RAM的特性
| FRAM | E2PROM | Flash | SRAM | |
存儲(chǔ)器 類別 | 非易失性 | 易失性 | ||
| 晶胞結(jié)構(gòu)*1 | 1T1C/2T2C | 2T | 1T | 6T |
數(shù)據(jù) 改寫方法 | 覆蓋寫入 | 擦除+寫入 | 扇面擦除+ 寫入 | 覆蓋寫入 |
寫入 循環(huán)時(shí)間 | 150ns*2 | 5ms | 10μs | 55ns |
| 耐久力 | 最大 1012 （1萬億次循環(huán)*3）*2 | 106 （100萬次循環(huán)） | 105 （10萬次循環(huán)） | 無限制 |
寫入 操作電流 | 5mA（典型值）*2 15mA（最大值）*2 | 5mA （最大值） | 20mA （最大值） | 8mA （典型值） - |
| 待機(jī)電流 | 5μA（典型值）*2 50μA（最大值）*2 | 2μA （最大值） | 100μA （最大值） | 0.7μA（典型值） 3μA（最大值） |
*1) T=晶體管. C=電容器
*2) 256Kb獨(dú)立的FRAM存儲(chǔ)器的技術(shù)規(guī)格
*3) 讀寫操作的總循環(huán)
富士通FRAM集成型產(chǎn)品
● 獨(dú)立存儲(chǔ)器（I2C/SPI/并行接口產(chǎn)品）
富士通半導(dǎo)體提供了獨(dú)立的存儲(chǔ)器，它具有FRAM的優(yōu)勢，包括非易失性、高速讀寫、低功耗和更高的讀寫耐久性。你可以將其用于各種應(yīng)用，如移動(dòng)裝置，OA設(shè)備，數(shù)字電器和銀行終端等。
● 獨(dú)立存儲(chǔ)器（I2C/SPI/并行接口產(chǎn)品）
● 適用于RFID的LSI
● 驗(yàn)證 IC
● 應(yīng)用
● 定制 LSI
● 技術(shù)支持
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