近日，《美國化學(xué)學(xué)會應(yīng)用材料與界面》在線發(fā)表了南京航空航天大學(xué)航空學(xué)院納米科學(xué)研究所團隊關(guān)于晶體硼量子點的首次實驗制備及其器件應(yīng)用的最新研究成果“Crystalline Semiconductor Boron Quantum Dots”。碩士研究生郝金錢為第一作者，臺國安教授和郭萬林院士為共同通訊作者，南航航空學(xué)院機械結(jié)構(gòu)力學(xué)及控制國家重點實驗室為論文第一通訊單位。

這是國際上第一篇關(guān)于零維晶體硼量子點的報道，零維硼量子點在高效率、高性能的光電、傳感和存儲等器件方面具有重要的應(yīng)用潛力。