只有引入EUV技術的6nm才是真正的6nm，而這項技術也將伴隨未來可能的5nm、4nm、3nm、2nm、1nm一路前行。

自1965年英特爾創(chuàng)始人之一的戈登·摩爾提出摩爾定律以來，半導體領域就一直在遵循著“當價格不變時，集成電路上可容納的元器件的數(shù)目,約每隔18個~24個月便會增加一倍，性能也將提升一倍”的規(guī)律前行。技術人員一直在研究開發(fā)新的IC制造技術，以縮小線寬、增大芯片的容量。

EUV光刻機的出現(xiàn)，就是一個重大突破。它實現(xiàn)了高速，低功耗和高集成的芯片生產(chǎn)工藝，滿足了5G高性能、超帶寬、低時延和海量連接的需求。

這么厲害的EUV，原理是什么？

光刻技術基本上是一個投影系統(tǒng)，將光線投射并穿透印有電路的光罩，利用光學原理將圖形打在已涂布感光劑的硅晶片上，進行曝光，當未曝光的部分被蝕刻移除后，圖樣就會顯露出來。

在光刻技術中，提升分辨率的途徑主要有三個：一是增加光學系統(tǒng)數(shù)值孔徑；二是減小曝光光源波長；三是優(yōu)化系統(tǒng)。EUV相較于DUV，把193nm波長的短波紫外線替換成了13.5nm的“極紫外線”，在光刻精密圖案方面自然更具優(yōu)勢，能夠減少工藝步驟，提升良率。

EUV技術的究竟難在哪兒？

光源產(chǎn)生難:

193nm紫外線的光子能量為6.4eV（電子伏特，能量單位），EUV的光子能量高達為91~93eV！這種能量的光子用一般的方法是射不出來的，激光器或燈泡都不行，它的生成方法光是聽起來就非常變態(tài)，這需要將錫熔化成液態(tài)，然后一滴一滴地滴落，在滴落過程中用激光轟擊錫珠，讓其化為等離子態(tài)，才能釋放“極紫外光”。這樣的光源用久了就會在里面濺很多錫微粒，必須要定時清潔才行。

發(fā)光過程難:

EUV不僅能量高，對物質(zhì)的影響也極其強大，它們可以被幾乎任何原子吸收，所以傳播路徑必須是完全的真空。要想讓EUV聚焦到合適的形狀，只能用這種用6面凹面鏡子組成的系統(tǒng)——EUV/X射線變焦系統(tǒng)（EUV /X-Ray focusing systems）。

有效功率轉(zhuǎn)化率低:

可是就算是鏡子，每一面鏡子都會吸收30%的EUV，整個系統(tǒng)里有4個鏡子用于發(fā)光系統(tǒng)，6個鏡子用于聚焦系統(tǒng)。EUV光罩本身也是一個額外的鏡子，形成了11次反射。這個過程中，只有大約2％的EUV來到了晶圓上。因為效率低，所以需要的功率也大輻上漲。ArF光源平均的功率為45W，而EUV的平均光源功率為500w！

成本太高：

最先進的EUV光刻機售價高達1億歐元一臺，是DUV光刻機價格2倍多，采購以后還需要多臺747飛機才能運輸整套系統(tǒng)。

此外，EUV光刻機必須在超潔凈環(huán)境中才能運行，一小點灰塵落到光罩上就會帶來嚴重的良品率問題，并對材料技術、流程控制、缺陷檢驗等環(huán)節(jié)都提出了更高的要求。最關鍵的是，EUV光刻機還極度耗電，它需要消耗電力把整個環(huán)境都抽成真空(避免灰塵)，通過更高的功率也彌補自身能源轉(zhuǎn)換效率低下的問題，設備運行后每小時就需要耗費至少150度的電力。

除此之外，次級電子對光刻膠的曝光、光化學反應釋放氣體、EUV對光罩的侵蝕等種種難題都要一一解決。這就導致很長時間里EUV的產(chǎn)量極低，在之前公開的資料里，EUV的產(chǎn)量只有日均1500片。

結合以上的知識點，采用了6nm EUV工藝技術的虎賁T7520，真是閃耀著高技術高質(zhì)量的光輝。