電荷耦合器件（CCD）與電荷存儲器件（Memory）作為現(xiàn)代電子系統(tǒng)中兩個獨(dú)立分支分別沿著各自的路徑發(fā)展，同時具備光電傳感和存儲功能的原型器件尚未見報道。近日，金屬所沈陽材料科學(xué)國家研究中心科研人員與國內(nèi)多家單位合作，在《先進(jìn)材料》（Advanced Materials）在線發(fā)表題為“柔性碳納米管傳感-存儲器件 （A flexible carbon nanotube sen-memory device）”的研究論文。

科研人員提出了一種基于鋁納米晶浮柵的碳納米管非易失性存儲器，具有高的電流開關(guān)比、長達(dá)10年的存儲時間以及穩(wěn)定的讀寫操作，多個分立的鋁納米晶浮柵器件具有穩(wěn)定的柔性使役性能。更重要的是，電荷在氧化生成的AlOx層中的隧穿機(jī)制由福勒-諾德海姆隧穿變成直接隧穿，從而實現(xiàn)光電信號的傳感與檢測；基于理論計算分析與實驗優(yōu)化設(shè)計，制備出32×32像素的非易失性柔性紫外光面陣器件，首次實現(xiàn)了光學(xué)圖像的傳感與圖像存儲，為新型柔性光檢測與存儲器件的研制奠定了基礎(chǔ)。

科研人員采用半導(dǎo)體性碳納米管薄膜為溝道材料，利用均勻離散分布的鋁納米晶/氧化鋁一體化結(jié)構(gòu)作為浮柵層與隧穿層，獲得高性能柔性碳納米管浮柵存儲器，實現(xiàn)在0.4%彎曲應(yīng)變下器件讀寫與擦除之間的電流開關(guān)比高于105，存儲穩(wěn)定性超過108s（圖2）。同時，較薄氧化鋁隧穿層可使在擦除態(tài)“囚禁”于鋁納米晶浮柵中的載流子在獲得高于鋁功函數(shù)的光照能量時，通過直接隧穿方式重新返回溝道之中，使閉態(tài)電流獲得明顯的提升，完成光電信號的直接轉(zhuǎn)換與傳輸，實現(xiàn)集圖像傳感與信息存儲于一身的新型多功能光電傳感與存儲系統(tǒng)（圖3）。

該項研究工作由中科院金屬所孫東明和曲庭玉提出設(shè)計構(gòu)思，在中科院蘇州納米所邱松、李清文研究員、吉林大學(xué)王偉教授以及中科院金屬所的科研人員共同合作下完成。曲庭玉與孫隕開展了器件制備、電學(xué)測量和數(shù)據(jù)分析工作，陳茂林進(jìn)行了電子束曝光等器件工藝研究，邱松、李清文合成了半導(dǎo)體性碳納米管溶液，劉志博進(jìn)行了樣品的透射電鏡表征，譚軍開展了聚焦離子束等樣品加工。所有作者共同參與了數(shù)據(jù)分析討論及論文撰寫工作。曲庭玉、孫隕、陳茂林為共同第一作者，邱松、韓拯、成會明、孫東明為共同通訊作者。該項研究工作得到了國家自然科學(xué)基金、中國科學(xué)院、金屬研究所、沈陽材料科學(xué)國家研究中心、青年千人計劃和國家重點研發(fā)計劃等項目資助。