ASML研發(fā)下一代EUV光刻機：分辨率提升70% 逼近1nm極限
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在EUV光刻機方面,荷蘭ASML(阿斯麥)公司壟斷了目前的EUV光刻機,去年出貨26臺,創(chuàng)造了新紀錄。據(jù)報道,ASML公司正在研發(fā)新一代EUV光刻機,預計在2022年開始出貨。
本文引用地址：http://www.biyoush.com/article/202003/411030.htm根據(jù)ASML之前的報告,去年他們出貨了26臺EUV光刻機,預計2020年交付35臺EUV光刻機,2021年則會達到45臺到50臺的交付量,是2019年的兩倍左右。
目前ASML出貨的光刻機主要是NXE:3400B及改進型的NXE:3400C,兩者基本結構相同,但NXE:3400C采用模塊化設計,維護更加便捷,平均維修時間將從48小時縮短到8-10小時,支持7nm、5nm。
此外,NXE:3400C的產能也從之前的125WPH(每小時處理晶圓數(shù))提升到了175WPH。
不論NXE:3400B還是NXE:3400C,目前的EUV光刻機還是第一代,主要特點是物鏡系統(tǒng)的NA(數(shù)值孔徑)為0.33。
ASML最近紕漏他們還在研發(fā)新一代EUV光刻機EXE:5000系列,NA指標達到了0.55,主要合作伙伴是卡爾蔡司、IMEC比利時微電子中心。
與之前的光刻機相比,新一代光刻機意味著分辨率提升了70%左右,可以進一步提升光刻機的精度,畢竟ASML之前的目標是瞄準了2nm甚至極限的1nm工藝的。
不過新一代EUV光刻機還有點早,至少到2022年才能出貨,大規(guī)模出貨要到2024年甚至2025年,屆時臺積電、三星等公司確實要考慮3nm以下的制程工藝了。
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