Micron Technology, Inc. (美光科技股份有限公司) 近日宣布采用行業(yè)領先的 1z 納米制程的 DDR5 寄存型 DIMM (RDIMM) 已開始出樣。DDR5 是迄今為止技術上最為先進的 DRAM，其內(nèi)存性能提升至少 85%，從而應對下一代服務器負載。如今數(shù)據(jù)中心的系統(tǒng)架構正在提供日益增多的處理器核心數(shù)、以及更大的內(nèi)存帶寬與容量，而 DDR5 使內(nèi)存密度翻倍，并同時提升可靠性。

“幾乎所有應用環(huán)境的數(shù)據(jù)都在激增，數(shù)據(jù)中心從負載的工作中挖掘價值的挑戰(zhàn)越來越大，” 美光科技計算和網(wǎng)絡產(chǎn)品事業(yè)部高級副總裁兼總經(jīng)理 Tom Eby 表示，“更高性能、更高密度和更優(yōu)質的內(nèi)存是應對這些負載的關鍵所在。美光出樣 DDR5 RDIMM 是一項重大進展，幫助業(yè)界進一步提升了下一代以數(shù)據(jù)為核心的應用價值?！?/p>

快速增多的數(shù)據(jù)集和計算密集型應用環(huán)境產(chǎn)生了更高要求的工作負載，進而帶來處理器核心數(shù)的增長，但目前的 DRAM 技術無法滿足帶寬需求。相較于 DDR4，DDR5 性能提升逾 1.85 倍。DDR5 還實現(xiàn)了現(xiàn)代數(shù)據(jù)中心所需要的可靠性、可用性和可服務性 (RAS)。

作為內(nèi)存技術的全球領導品牌，美光在設計、制造、交付及向全球合作伙伴和客戶提供支持方面擁有40多年的專業(yè)積淀。美光的 DDR5 SDRAM 產(chǎn)品組合采用了比以往更高的標準。

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