國內最大的NOR閃存公司兆易創(chuàng)新上周末發(fā)表公告，宣布向10位投資者定向募集33.2億元資金，主要用于DRAM內存研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化，最快2021年開始量產(chǎn)。

在募資公告中，兆易創(chuàng)新公布了這個項目的預計實施時間及整體進度安排，具體如下：

·2020年，兆易創(chuàng)新將啟動首款DRAM芯片產(chǎn)品定義，包括市場定位、產(chǎn)品規(guī)格及芯片設計工藝。

·2020年，兆易創(chuàng)新將定義首款芯片的生產(chǎn)職稱，并將經(jīng)過驗證后的設計開展流片試樣，反復修改直至通過系統(tǒng)驗證。

·2021年，對首款芯片試樣進行封裝測試，并送交系統(tǒng)芯片商進行功能認證，并最終通過客戶驗證。

·2021年，首款芯片通過驗證之后進行小批量生產(chǎn)，測試成功后進行大批量生產(chǎn)。

·2022-2025年，進行新系列芯片研發(fā)及量產(chǎn)。

從兆易創(chuàng)新的安排來看，如果沒有延期，那么他們的DRAM內存芯片最快會在2021年量產(chǎn)，2022年之后則會開始多個系列的產(chǎn)品研發(fā)及量產(chǎn)。

截至 2019 年 9 月 30 日，兆易創(chuàng)新公司及控股子公司共擁有和使用 508 項境內專利、21項境外專利及 16 項集成電路布圖設計。

在 DRAM 技術及研發(fā)方面，公司已組建由數(shù)十名資深工程師組成的核心研發(fā)團隊，涵蓋前端設計、后端產(chǎn)品測試與驗證，該團隊的核心技術帶頭人員從事 DRAM 芯片行業(yè)平均超過二十年，具備較強的技術及研發(fā)實力。

此外，公司在存儲器領域的技術研發(fā)能力及擁有豐富經(jīng)驗的資深工程師團隊也能夠有效地加速推進 DRAM 芯片的研發(fā)工作。