近日，據(jù)外媒報道，長鑫存儲正式宣布其成為了國內(nèi)第一家也是唯一一家DRAM供應(yīng)商。

長鑫存儲2016年5月在安徽合肥啟動，專業(yè)從事DRAM內(nèi)存的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座300毫米晶圓廠并投產(chǎn)，并通過專用研發(fā)線快速迭代研發(fā)，結(jié)合當(dāng)前先進設(shè)備大幅度改進工藝，開發(fā)出了獨有的技術(shù)體系。長鑫內(nèi)存自主制造項目總投資1500億元，將生產(chǎn)國產(chǎn)第一代10nm工藝級8Gb DDR4內(nèi)存芯片，并獲得了工信部旗下檢測機構(gòu)中國電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院的量產(chǎn)良率檢測報告。

該晶圓廠每月產(chǎn)量為20000晶圓，到2020年第二季度這一速度會提升到40000晶圓/月，大概能占到全球內(nèi)存產(chǎn)能的3%。

目前長鑫存儲國內(nèi)唯一的競爭對手是清華紫光，它計劃于2021年在重慶建成研發(fā)中心和DRAM晶圓廠，距離量產(chǎn)還要3-5年時間。

就在前幾天，長鑫存儲技術(shù)有限公司與加拿大公司Quarterhill Inc.旗下的Wi-LAN Inc.今日聯(lián)合宣布，就原內(nèi)存制造商奇夢達開發(fā)的DRAM內(nèi)存專利，長鑫存儲與WiLAN全資子公司Polaris Innovations Limited達成專利許可協(xié)議和專利采購協(xié)議，長鑫收獲大量原奇夢達內(nèi)存專利。