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            長鑫存儲公布新路線圖:已開始生產(chǎn)19nm計(jì)算機(jī)存儲器

            作者: 時間:2019-12-09 來源:cnBeta 收藏

            存儲技術(shù)有限公司(CXMT)已經(jīng)開始生產(chǎn)基于 工藝的計(jì)算機(jī),且該公司至少制定了兩條以上的 10nm 級制程的路線圖,計(jì)劃在未來生產(chǎn)各種類型的動態(tài)隨機(jī)(DRAM)。為了提升產(chǎn)量,存儲還計(jì)劃建造另外兩座晶圓廠。作為中國制造 2025 項(xiàng)目的一部分,其有望支撐全球一半左右的 DRAM 需求。

            本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/201912/407937.htm

            目前存儲的月產(chǎn)能約為 2 萬片晶圓,但隨著該公司訂單量的增長,產(chǎn)量也將逐漸提升。預(yù)計(jì)到 2020 年底,其 10nm 級工藝技術(shù)的產(chǎn)能為 12 萬片晶圓(12 英寸),媲美 SK 海力士在中國無錫的工廠。

            CXMT 正在使用其 10G1 技術(shù)(19 nm 工藝)來制造 4 Gb 和 8 Gb DDR4 芯片,目標(biāo)在 2020 年第一季度將其商業(yè)化并投放市場,該技術(shù)將用于在 2020 下半年制造的 LPDDR4X 存儲器。

            從路線圖來看,CXMT 還規(guī)劃了針對 DDR4、LPDDR4X、DDR5、以及 LPDDR5 的 10G3(17 nm 工藝)產(chǎn)品。盡管目前尚無法撼動業(yè)內(nèi)老牌競爭對手,但該公司相當(dāng)重視創(chuàng)新工藝的研發(fā)和產(chǎn)能的擴(kuò)張。

            預(yù)計(jì) CXMT 10G5 工藝將使用 HKMG 和氣隙位線技術(shù),并在遠(yuǎn)期使用柱狀電容器、全能柵極晶體管、以及極紫外光刻(EUVL)工藝。

            盡管該公司計(jì)劃于 2019 年初開始生產(chǎn) DDR4 內(nèi)存,但新路線圖已經(jīng)推遲了一年。最后,該公司還計(jì)劃再建兩座 DRAM 晶圓廠。 



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