國(guó)產(chǎn)雄起！合肥長(zhǎng)鑫19nm DRAM內(nèi)存芯片產(chǎn)能增加
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存儲(chǔ)器產(chǎn)品占到了我國(guó)每年進(jìn)口半導(dǎo)體芯片中的大頭，其中DRAM內(nèi)存芯片占比最高，有20%以上。
本文引用地址：http://www.biyoush.com/article/201911/407050.htm最新報(bào)道稱，合肥長(zhǎng)鑫正逐步提到19nm DRAM芯片的產(chǎn)能，目標(biāo)是月產(chǎn)4萬(wàn)片晶圓。
在9月份開(kāi)幕的201 9世界制造業(yè)大會(huì)上，合肥長(zhǎng)鑫公司宣布總投資1500億元的合肥長(zhǎng)鑫內(nèi)存芯片自主制造項(xiàng)目投產(chǎn)，將生產(chǎn)國(guó)產(chǎn)第一代10nm級(jí)8Gb DDR4內(nèi)存。
長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)董事長(zhǎng)兼首席執(zhí)行官朱一明介紹，投產(chǎn)的8Gb DDR4通過(guò)了多個(gè)國(guó)內(nèi)外大客戶的驗(yàn)證，今年底正式交付，另有一款供移動(dòng)終端使用的低功耗產(chǎn)品也即將投產(chǎn)。
據(jù)悉，長(zhǎng)鑫的DRAM技術(shù)主要來(lái)自已經(jīng)破產(chǎn)的奇夢(mèng)達(dá)，包括將后者一千多萬(wàn)份有關(guān)DRAM的技術(shù)文件及2.8TB數(shù)據(jù)收歸囊中。
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