新華社消息，在合肥召開的2019世界制造業(yè)大會上，總投資約1500億元的長鑫存儲內(nèi)存芯片制造項目宣布投產(chǎn)，其與國際主流DRAM產(chǎn)品同步的10納米級第一代8Gb DDR4首度亮相，一期設計產(chǎn)能每月12萬片晶圓。

該項目2016年5月由合肥市政府旗下合肥產(chǎn)投與兆易創(chuàng)新共同出資組建。目前，項目已獲得工信部旗下檢測機構中國電子技術標準化研究院的量產(chǎn)良率檢測報告。

長鑫存儲董事長兼首席執(zhí)行官朱一明介紹，長鑫存儲投產(chǎn)的8Gb DDR4通過了多個國內(nèi)外大客戶的驗證，今年底正式交付，另有一款供移動終端使用的低功耗產(chǎn)品也即將投產(chǎn)。

長鑫存儲副總裁平爾萱日前在另一場合表示，公司已經(jīng)成功把從奇夢達獲得的46納米堆棧式DRAM平穩(wěn)過度到10納米級別，公司甚至在探索HKMG、EUV甚至GAA等新技術和新工藝在DRAM上的實現(xiàn)，力爭未來成為存儲領域的領先者。