9月17日，2019中國(guó)集成電路設(shè)計(jì)大會(huì)在青島市嶗山區(qū)正式召開(kāi)， 中科院院士劉明在演講中指出，國(guó)內(nèi)的光刻技術(shù)與國(guó)外技術(shù)差距仍為15～20年，是集成電路領(lǐng)域中差距最大的環(huán)節(jié)。

劉明談到了國(guó)內(nèi)集成電路的幾項(xiàng)基礎(chǔ)技術(shù)。關(guān)于光刻膠技術(shù)，劉明表示，我國(guó)在EUV光源、多層膜、掩膜、光刻膠、超光滑拋光技術(shù)等方面取得了一些研究進(jìn)展。但總的來(lái)說(shuō)，國(guó)內(nèi)的光刻技術(shù)與國(guó)外技術(shù)差距仍為15～20年，是集成電路領(lǐng)域中差距最大的環(huán)節(jié)。

在邏輯器件方面，劉明指出，國(guó)內(nèi)在低功耗新原理邏輯器件的機(jī)理、模型、材料、結(jié)構(gòu)和集成技術(shù)上開(kāi)展了前瞻性研究。國(guó)內(nèi)優(yōu)勢(shì)企業(yè)、高校和研究所在硅基邏輯器件的成套先導(dǎo)技術(shù)上開(kāi)展了系統(tǒng)研究，為產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供了技術(shù)知識(shí)產(chǎn)權(quán)的幫助。

另外，劉明還表示，中國(guó)在新型存儲(chǔ)器前沿和關(guān)鍵技術(shù)等方面均開(kāi)展了系統(tǒng)研究；學(xué)術(shù)界與產(chǎn)業(yè)界合作緊密，開(kāi)發(fā)了RRAM、PRAM和MRAM的大規(guī)模集成工藝。

最后，劉明強(qiáng)調(diào)，IC的快速發(fā)展是信息化的核心和基礎(chǔ)，器件持續(xù)微縮的More than Moore路線，我國(guó)很難實(shí)現(xiàn)超越，但這是創(chuàng)新的基礎(chǔ)，必須夯實(shí)，沒(méi)有彎道可走。