在日前召開的2019中國(guó)國(guó)際智能產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)上，紫光集團(tuán)展出了旗下芯片及云計(jì)算等領(lǐng)域的最新進(jìn)展，其中首次公開展出了旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)研發(fā)的64層堆棧3D閃存，采用了Xstacking堆棧結(jié)構(gòu)，核心容量也提升到了256Gb。

根據(jù)官網(wǎng)資料，長(zhǎng)江存儲(chǔ)是紫光集團(tuán)收購(gòu)武漢新芯科技之后成立的，于2016年7月在中國(guó)武漢成立，是一家專注于3D NAND閃存芯片設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和銷售的IDM存儲(chǔ)器公司。長(zhǎng)江存儲(chǔ)為全球工商業(yè)客戶提供存儲(chǔ)器產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用于移動(dòng)設(shè)備、計(jì)算機(jī)、數(shù)據(jù)中心和消費(fèi)電子產(chǎn)品等領(lǐng)域。

在閃存芯片上，長(zhǎng)江存儲(chǔ)去年就小規(guī)模量產(chǎn)了32層堆棧的3D閃存，不過核心容量只有64Gb，整體規(guī)格相比目前的主流水平有所落伍，長(zhǎng)江存儲(chǔ)也不打算大規(guī)模量產(chǎn)，今年底真正量產(chǎn)的是64層堆棧的3D閃存。

根據(jù)長(zhǎng)江存儲(chǔ)之前的介紹，他們的3D閃存采用了Xstacking堆棧結(jié)構(gòu)，去年推出了Xstacking 1.0，可在一片晶圓上獨(dú)立加工負(fù)責(zé)數(shù)據(jù)I/O及記憶單元操作的外圍電路。這樣的加工方式有利于選擇合適的先進(jìn)邏輯工藝，以讓NAND獲取更高的I/O接口速度及更多的操作功能。存儲(chǔ)單元同樣也將在另一片晶圓上被獨(dú)立加工。當(dāng)兩片晶圓各自完工后，創(chuàng)新的Xtacking技術(shù)只需一個(gè)處理步驟就可通過數(shù)百萬根金屬VIA（Vertical Interconnect Accesses，垂直互聯(lián)通道）將二者鍵合接通電路，而且只增加了有限的成本。

從展出的64層堆棧閃存來看，其核心容量已經(jīng)提升到了256Gb，是32層閃存的4倍，相比目前512Gb到1Tb的水平來說依然有差距，但是256Gb核心的閃存在64層閃存中已經(jīng)是主流水平了，換算下來核心容量8GB了，可以輕松制造出512GB到1TB容量的SSD硬盤。

今年年底預(yù)計(jì)長(zhǎng)江存儲(chǔ)正式量產(chǎn)64層堆棧的3D閃存，明年開始逐步提升產(chǎn)能，預(yù)計(jì)2020年底可望將產(chǎn)能提升帶月產(chǎn)6萬片晶圓的規(guī)模，而明年則會(huì)跳過96層堆棧直接殺向128層堆棧，進(jìn)一步縮短與三星東芝等公司的差距。