由于具有最低的導(dǎo)通電阻(RDS(on))，這些BiC MOSFET能夠以良好的性價(jià)比降低損耗。此外，通管殼(Junction to Case (RthJC)) 的較低熱阻提供了出色的散熱性能，從而帶來更低的滿載運(yùn)作溫度。較低的反向恢復(fù)電荷(Qrr)通過顯著減小電壓過沖來提高系統(tǒng)可靠性，從而最大限度地減少對(duì)緩沖電路的需求，同時(shí)也減少了工程成本和工作量。

這些BiC MOSFET器件的額定溫度為175°，有助于實(shí)現(xiàn)在更高的工作結(jié)溫下具有更高功率，或者在相同的工作結(jié)溫下具有更長(zhǎng)使用壽命的設(shè)計(jì)。此外，隨著額定溫度的增加，安全工作區(qū)域(SAO)亦改善了20%。

這些BiC MOSFET具有出色的性能數(shù)據(jù)，非常適合電信、服務(wù)器、三相逆變器、低壓驅(qū)動(dòng)器以及D類音頻等應(yīng)用。英飛凌OptiMOS? BiC功率MOSFET產(chǎn)品系列包括60V至250V型款。