2018年中國進(jìn)口了3000多億美元的半導(dǎo)體芯片，其中存儲芯片占據(jù)了1/3也就是上千億美元，而且這部分芯片的國產(chǎn)率為0，國內(nèi)尚無公司能夠大規(guī)模量產(chǎn)閃存及內(nèi)存芯片。在閃存芯片上，紫光集團(tuán)位于武漢的長江存儲下半年量產(chǎn)64層堆棧的3D閃存，明年將研發(fā)128層堆棧的3D閃存。

除了240億美元投資的武漢存儲器基地，紫光在全國其他省市也有布局，日前紫光集團(tuán)董事長趙偉國一行拜會了四川省委書記，介紹了企業(yè)經(jīng)營發(fā)展及與四川合作情況。

根據(jù)紫光集團(tuán)聯(lián)席總裁王慧軒所說，紫光在四川產(chǎn)業(yè)布局宏大，總投資超2000億元，建設(shè)周期需3年-5年，而紫光在成都建設(shè)的3D堆棧存儲芯片工廠是最重要的投資項(xiàng)目。

王慧軒表示，“紫光在成都芯片的布局是比較深的，包括服務(wù)器的芯片的研發(fā)，安全芯片的研發(fā)，存儲芯片、移動通訊芯片的相關(guān)研發(fā)，我們現(xiàn)在正在建設(shè)的3D堆疊存儲芯片工廠，第一期建成之后，將月產(chǎn)10萬片，三期都完成后將擁有月產(chǎn)30萬片的一個生產(chǎn)能力?！?/p>

紫光成都存儲芯片項(xiàng)目于2018年10月中旬動工，預(yù)計(jì)2020年12月主體完工，該項(xiàng)目占地面積約1200畝，總投資達(dá)240億美元，將建設(shè)12寸3D NAND存儲器晶圓生產(chǎn)線，并開展存儲器芯片及模塊、解決方案等關(guān)聯(lián)產(chǎn)品的研發(fā)、制造和銷售，旨在打造世界一流的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地。