EPC公司宣布推出領(lǐng)導(dǎo)業(yè)界的增強(qiáng)型氮化鎵器件的晶圓，使得客戶易于集成功率系統(tǒng)。EPC公司的氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（eGaN FET）及集成電路一直以來都是以單個(gè)并包含錫條或錫球的芯片級(jí)器件出售。

采用芯片級(jí)封裝的器件更高效，因?yàn)樵摲庋b可以使得氮化鎵（eGaN）功率晶體管具備更低的阻抗、電感、尺寸、熱阻及成本，從而可以實(shí)現(xiàn)前所未有的電路性能及成本效益。

這些器件的晶圓可以使得客戶更易于在組裝時(shí)集成功率系統(tǒng)、進(jìn)一步減低在PC板上器件相互連接時(shí)的電感及所需的間隙空間，從而提高效率、增加功率密度而同時(shí)降低組裝成本。

宜普公司的首席執(zhí)行官及共同創(chuàng)辦人Alex Lidow說，“我們聆聽合作伙伴的需要，為客戶提供領(lǐng)導(dǎo)業(yè)界的氮化鎵產(chǎn)品的晶圓以配合多樣化的組裝技術(shù)及應(yīng)用所需”。

EPC提供氮化鎵（eGaN）功率器件的晶圓，可以包含或不包含錫球。也可以提供額外的服務(wù)，例如薄化晶圓、提供晶圓背面金屬鍍層或晶背保護(hù)膠帶。