東芝和西數(shù)正研發(fā)128層3D NAND閃存：最早2020年上市
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根據(jù)外媒的報(bào)道，東芝及其戰(zhàn)略盟友西部數(shù)據(jù)準(zhǔn)備推出更高密度128層3D NAND閃存。在東芝的命名法中，該芯片將命名為BiCS-5。
本文引用地址：http://www.biyoush.com/article/201903/398321.htm
據(jù)介紹，芯片將實(shí)現(xiàn)TLC，而不是更新的QLC。這可能是因?yàn)?a class="contentlabel" href="http://www.biyoush.com/news/listbylabel/label/NAND">NAND閃存制造商仍然對QLC芯片的低產(chǎn)量有擔(dān)心。該芯片的數(shù)據(jù)密度為512 Gb，新的128層芯片的容量比96層芯片多33%，可以在2020到2021年實(shí)現(xiàn)商業(yè)化生產(chǎn)。
據(jù)報(bào)道，新芯片每單位信道的寫入性能從66 MB / s增加到132 MB / s。據(jù)報(bào)道，該芯片還采用了CuA(陣列電路)，這是一種設(shè)計(jì)創(chuàng)新，節(jié)省了15%的芯片尺寸。
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