近日，臺積電對外宣布，將在2019年第二季度進行5nm制程風險試產(chǎn)，預(yù)計2020年量產(chǎn)。與此同時，中微半導(dǎo)體也向“上觀新聞”透露了一個重磅消息，其自主研發(fā)的5nm等離子體刻蝕機經(jīng)臺積電驗證，性能優(yōu)良，將用于全球首條5nm制程生產(chǎn)線。

　　值得一提的是，中微半導(dǎo)體也是唯一進入臺積電7nm制程蝕刻設(shè)備的大陸本土設(shè)備商。據(jù)悉，中微半導(dǎo)體與臺積電在28nm制程時便已開始合作，并一直延續(xù)到10nm和7nm制程。

　　而中微半導(dǎo)體如此亮眼成績的背后，離不開尹志堯和他團隊的多年努力。

　　他放棄國外百萬年薪工作，只為一顆“中國芯”

　　研究顯示，2015-2020年中國半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)投資額將達到650億美元，其中芯片制造設(shè)備投資額就將達到500億美元。但是中國芯片制造設(shè)備的95%都是依賴于進口，也就是說需要花480億到國外購買設(shè)備。這也使得中國芯片制造設(shè)備的國產(chǎn)化成為了一件非常迫切的事情。

　　在美國硅谷從事半導(dǎo)體行業(yè)20多年的尹志堯，其在世界最大的半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)——美國應(yīng)用材料公司擔任總公司副總裁，曾被譽為“硅谷最有成就的華人之一”，參與了美國幾代等離子體刻蝕機的研發(fā)，擁有60多項技術(shù)專利。

　　2004年，當時已經(jīng)60歲的尹志堯放棄了美國的百萬年薪，帶領(lǐng)三十多人的團隊，沖破美國政府的層層審查(所有人都承諾不把美國的技術(shù)帶回中國，包括所有工藝配方、設(shè)計圖紙，一切從零開始)，回國創(chuàng)辦了中微半導(dǎo)體，他要在芯片制造設(shè)備領(lǐng)域與國際巨頭直接競爭，取得一席之地。

　　成功打破國外壟斷

　　等離子體刻蝕機是芯片制造環(huán)節(jié)的一種關(guān)鍵設(shè)備，其是在芯片上進行微觀雕刻，刻出又細又深的接觸孔或者線條，每個線條和深孔的加工精度是頭發(fā)絲直徑的幾千分之一到上萬分之一。這對刻蝕機的控制精度要求非常高。

　　據(jù)介紹，一個16nm的微觀邏輯器件有60多層微觀結(jié)構(gòu)，要經(jīng)過1000多個工藝步驟，要攻克上萬個技術(shù)細節(jié)才能加工出來。只看等離子體刻蝕這個關(guān)鍵步驟，它的加工尺度為普通人頭發(fā)絲的五千分之一，加工的精度和重復(fù)性要達到五萬分之一。足見難度之高。

　　長期以來，蝕刻機的核心技術(shù)一直被國外廠商所壟斷。2004年尹志堯回國創(chuàng)辦中微半導(dǎo)體之初就將目光鎖定在了刻蝕機領(lǐng)域。

　　中微半導(dǎo)體在剛剛涉足IC芯片介質(zhì)刻蝕設(shè)備時，就推出了65nm等離子介質(zhì)刻蝕機產(chǎn)品，隨著技術(shù)的進步一直做到45nm、32nm、28nm、16nm、10nm，現(xiàn)在7nm的刻蝕機產(chǎn)品已經(jīng)在客戶的生產(chǎn)線上運行了，5nm刻蝕機也即將被臺積電采用。

　　“在米粒上刻字的微雕技藝上，一般能刻200個字已經(jīng)是極限，而我們的等離子刻蝕機在芯片上的加工工藝，相當于可以在米粒上刻10億個字的水平。”中微半導(dǎo)體CEO尹志堯曾這樣形容到。

　　經(jīng)過多年的努力，中微半導(dǎo)體用實力打破了這一領(lǐng)域技術(shù)封鎖，成功讓中國正式躋身刻蝕機國際第一梯隊。

　　中微半導(dǎo)體首席專家、副總裁倪圖強博士表示，刻蝕機曾是一些發(fā)達國家的出口管制產(chǎn)品，但近年來，這種高端裝備在出口管制名單上消失了。這說明如果我們突破了“卡脖子”技術(shù)，出口限制就會不復(fù)存在。如今，中微與泛林、應(yīng)用材料、東京電子、日立4家美日企業(yè)一起，組成了國際第一梯隊，為7nm芯片生產(chǎn)線供應(yīng)刻蝕機。

　　(芯智訊注：美國商務(wù)部在2015年宣布，由于在中國已有一個非美國的設(shè)備公司做出了和美國設(shè)備公司有相同質(zhì)量和相當數(shù)量的等離子體刻蝕機，所以取消了對中國的刻蝕機的出口管制。)

　　他還表示，明年臺積電將率先進入5nm制程，已通過驗證的國產(chǎn)5nm刻蝕機，預(yù)計會獲得比7nm生產(chǎn)線更大的市場份額。

　　值得一提的是，2016年，中微半導(dǎo)體獲得國家集成電路產(chǎn)業(yè)基金(大基金)4.8 億元的投資，成功成為中國芯片制造領(lǐng)域的國家隊。而這也凸顯了國家對于中微半導(dǎo)體在中國半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域的貢獻和地位的認可。

　　面對國外競爭對手挑釁，屢戰(zhàn)屢勝

　　或許正是由于中微半導(dǎo)體在半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域的突飛猛進，也引來了國外競爭對手挑起的知識產(chǎn)權(quán)訴訟。

　　首先發(fā)難的是尹志堯的老東家——美國應(yīng)用材料公司，2007年之時，美國應(yīng)用材料公司就起訴中微半導(dǎo)體侵權(quán)，但卻始終舉證無力(尹志堯及其團隊成員在離開美國時并未帶走任何工藝配方、設(shè)計圖紙，后續(xù)的產(chǎn)品設(shè)計也避開了對方的專利)，中微半導(dǎo)體則抓住機會適時反訴對方不正當競爭，應(yīng)用材料公司顯然對這一情況準備不足，最終不得不撤訴求和。

　　2009年，另一巨頭美國科林研發(fā)又在臺灣起訴中微侵犯其發(fā)明專利，中微半導(dǎo)體則積極應(yīng)對，提供其專利無效的證據(jù)，在法院的兩次審判中科林的相關(guān)專利均被判決無效，第三次臺灣“智慧財產(chǎn)局”甚至審定撤銷了科林的其中一項專利權(quán)，緊接著科林又對“智慧財產(chǎn)局”的審定提出行政訴訟，再次遭到駁回。

　　2016年，中微半導(dǎo)體在接受媒體采訪時，也詳細介紹了其應(yīng)對美國行業(yè)巨頭5年侵犯商業(yè)秘密和專利權(quán)纏訴，終獲“一撤訴四連勝”的成功經(jīng)歷。

　　當時，中微半導(dǎo)體公司資深知識產(chǎn)權(quán)總監(jiān)姜銀鑫就表示，“中微在知識產(chǎn)權(quán)方面相當謹慎，于公司建立初期便成立了專門的知識產(chǎn)權(quán)團隊，未雨綢繆，針對潛在的知識產(chǎn)權(quán)糾紛可能性做了大量的分析排查。在部分海歸研發(fā)團隊核心成員回國加入之前，中微便已經(jīng)讓他們簽訂了不從原單位帶來技術(shù)機密的承諾書”。

　　2017年11月初，美國MOCVD(金屬有機化合物氣相沉積設(shè)備)設(shè)備廠Veeco宣布，美國紐約東區(qū)地方法院同意了其針對SGL Carbon，LLC(SGL)的一項初步禁令請求，禁止SGL出售采用Veeco專利技術(shù)的MOCVD使用的晶圓承載器(即石墨盤)，包括專為中國MOCVD設(shè)備商中微半導(dǎo)體設(shè)計的石墨盤。Veeco此舉針對的正是中微半導(dǎo)體。

　　對此，中微半導(dǎo)體一方面積極發(fā)展第二和第三渠道的供應(yīng)商;另一方面則在中國對Veeco提起專利侵權(quán)訴訟。

　　中微半導(dǎo)體披露，其于2017年7月向福建高院正式起訴 Veeco上海，指控其TurboDisk EPIK 700型號的MOCVD設(shè)備侵犯了中微的基片托盤同步鎖定的中國專利，要求其停止侵權(quán)并主張上億元侵權(quán)損害賠償。在中微半導(dǎo)體起訴后，Veeco上海對該中微半導(dǎo)體專利向國家知識產(chǎn)權(quán)局專利復(fù)審委(簡稱“專利復(fù)審委”)提起無效宣告請求。

　　同年11月24日，專利復(fù)審委于作出審查決定，否決了Veeco上海關(guān)于中微半導(dǎo)體專利無效的申請，確認中微半導(dǎo)體起訴Veeco上海專利侵權(quán)的涉案專利為有效專利。

　　2017年12月8日，福建省高級人民法院同意了中微半導(dǎo)體針對Veeco上海的禁令申請，該禁令禁止Veeco上海進口、制造、向任何第三方銷售或許諾銷售侵犯中微第CN 202492576號專利的任何化學氣相沉積裝置和用于該等裝置的基片托盤。該禁令立即生效執(zhí)行，不可上訴。

　　中微半導(dǎo)體對于Veeco上海的勝訴，成功打擊了Veeco妄圖通過專利戰(zhàn)打擊中微半導(dǎo)體的企圖。

　　“中微在過去11年輪番受到美國設(shè)備大公司的法律訴訟，但我們由于有堅固的知識產(chǎn)權(quán)防線，完全遵守美國和各國知識產(chǎn)權(quán)法律，一直處于不敗之地。”今年7月，尹志堯在接受“觀察者網(wǎng)”采訪時這樣說到。