12月4日，英特爾在一項(xiàng)名為“自旋電子學(xué)”的技術(shù)領(lǐng)域取得了進(jìn)展，未來芯片尺寸可縮小5倍，能耗最多可降低30倍。

　　英特爾和加州大學(xué)伯克利分校的研究人員展示了他們的“自旋電子學(xué)”方面的研究進(jìn)展，這項(xiàng)新技術(shù)可以將未來的芯片尺寸縮小到目前的五分之一，能耗將降低10到30倍。

　　一直以來，芯片都依賴著CMOS技術(shù)，但隨著元器件尺寸不斷接近原子級別大小，芯片的發(fā)展也遇到瓶頸。

　　英特爾的這項(xiàng)研究是一種名為“磁電自旋軌道”(MESO)的邏輯元件，利用了多鐵性材料的自旋性質(zhì)，使用氧、鉍和鐵原子的晶格，提供有利的電磁屬性以便外力可存儲并讀取信息。這種元件所需功率遠(yuǎn)小于CMOS晶體管。

　　研究人員表示，由于這種元件不需要電就能保留信息，所以它們可以在設(shè)備閑置時(shí)提供更加節(jié)能的睡眠模式。

　　英特爾高級院士指出，“我們正在研究超越CMOS的信息時(shí)代的革命性和非進(jìn)化性方法。MESO以低壓互連和低壓磁電為基礎(chǔ)。它將量子材料創(chuàng)新與計(jì)算結(jié)合在一起。我們對我們?nèi)〉玫倪M(jìn)展感到非常興奮，并期待著未來能進(jìn)一步降低開關(guān)電壓，發(fā)揮它更大的潛力?！?/p>

　　英特爾元件研究機(jī)構(gòu)項(xiàng)目負(fù)責(zé)人SasikanthManipatruni在一份聲明中說，“我們在努力在產(chǎn)業(yè)和晶體管研究領(lǐng)域引發(fā)新一輪創(chuàng)新?！薄蹲匀弧冯s志星期一發(fā)表了這項(xiàng)研究論文，Manipatruni是第一作者。

　　雖然實(shí)驗(yàn)原型顯示出很不錯結(jié)果，但該技術(shù)尚處于起步階段。根據(jù)研究人員的說法，該技術(shù)需要進(jìn)行更多的研究，商用化還有很長的路要走，至少還需要十年。