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      高穩(wěn)定?寬溫單片(或獨石)電容器用介質(zhì)陶瓷材料

      作者: 時間:2018-09-07 來源:網(wǎng)絡 收藏

      2.3 測試方法
      測試條件:25 ℃,1 kHz
      測試參數(shù):ε(14.4dC/φ2,其中C為滿銀容量,d為厚度,φ為直徑.單位cm,PF)
      1)介質(zhì)損耗tgδ(×10-4)
      2)溫度特性△C/Cx100%=Ct-C0/C0x100%
      其中,C0為25℃時容量,CT為-55~+145℃之間的容量值。
      2.4 測試數(shù)據(jù)(結(jié)果)
      表一羅列了該材料不同配伍下的工藝條件(主要體現(xiàn)燒成溫度)由此材料制作的電容器的主要性能參數(shù)。

      本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/201809/388682.htm


      注:1)△C/C最大值指在-55~+145℃之間容量相對于25℃時變化率最大值;
      2)如若按獨石電容器制作方法,通過二次配料(瓷粉和乙基纖維素等)·流延制膜(膜厚約0.5 mm)·內(nèi)電極印刷(銀鈀電極漿料)·85℃,280 kg/m2等靜壓(11層)·650+50℃排膠·1350+20℃燒成2.5 h,冷卻再制端電極,待測。以此方法制作的獨石電容器其特性參數(shù)與表一圓板式電容器性能一致。

      3 研制成果與改進方向
      1)該體系介質(zhì)材料無鉛、無鉍,既符合環(huán)保要求又具備很好的穩(wěn)定性(避免了制作電容器時與電極漿料中的鈀發(fā)生反應)很好地滿足了高端客戶的要求。
      2)工作溫度范圍寬,-55~+145℃幾乎是普遍材料-25+85℃的兩倍,具有非常好的應用價值。
      3)tgδ≤100x10-4屬低損耗系列,擊穿電壓≥>9 kV/mm,均優(yōu)于常規(guī)介質(zhì)組份性能;
      4)介電常數(shù)ε可通過調(diào)整MgO,Nb2O3總二摩爾比(各自1:1)使之很易達到系列化要求,如300;500;1 000;1 500;這無論是對于瓷粉材料還是對電容器的批量生產(chǎn)與管理都具有重要的使用價值,便于大規(guī)模生產(chǎn)。
      5)該系列瓷粉所做瓷基體成瓷溫度范圍較寬,很方便批量燒成,不需精確控溫,這是該體系材料又一大優(yōu)勢。
      6)通過微量摻雜繼續(xù)改善溫度特性使之溫度范圍拓寬至-55~+185℃同時使△C/C≤±10%之內(nèi);
      7)通過改變MgO·Nb2O5的比例和主輔料的比例進一步完善介電常數(shù)的系列擴充,達100,200,300,500,1 000,1 500,2 000之目標,更好地方便批量系列化生產(chǎn)和使用。

      4 結(jié)束語
      無鉛、無鉍的介質(zhì)陶瓷材料用于制作高穩(wěn)定,寬溫度范圍的單片電容器(或獨石電容器),是目前電子陶瓷器件研究應用重點。通過理論分析和多年器件研制,經(jīng)過介質(zhì)陶瓷材料配比改進、工藝試驗及批生產(chǎn)等工作,研制成功適用于高精尖電子設備使用的無鉛、無鉍、工作溫度范圍寬、損耗低、介電常數(shù)ε可控、可批量生產(chǎn)的材料組分和工藝方法。對我國無鉛、無鉍的介質(zhì)陶瓷材料研究及生產(chǎn)具有一定的指導意義。


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