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            基于NIOS II 軟核的NAND FLASH的驅(qū)動方法

            作者: 時間:2018-08-29 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

              1. 引言

            本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/201808/391339.htm

               FLASH被廣泛應(yīng)用于電子系統(tǒng)中作為數(shù)據(jù)存儲。在各種高端電子系統(tǒng)中現(xiàn)場可編程門陣列()已被廣泛應(yīng)用。靈活的硬件邏輯能實現(xiàn)對 FLASH的讀寫操作。本文中闡述了一種基于 軟核的 FLASH的驅(qū)動方法。

              2. VDNF2T16VP193EE4V25簡介

              歐比特公司的VDNF2T16VP193EE4V25是一款容量為2Tb、位寬為16位的NAND FLASH,其內(nèi)部由8片基片拓?fù)涠?,其拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)如下:


              其主要特性如下:

              ? 總?cè)萘?Tb;

              ? 位寬:16位;

              ? SLC;

              ? 兼容ONFI2.2;

              ? 封裝:PGA193;

              ? 電源:+3.3V(VCC)、+1.8V(VCCQ)。

              3. VDNF2T16VP193EE4V25的控制器設(shè)計

              大容量NAND FLASH控制器設(shè)計包括一個IP核設(shè)計。其基于 的AVALON總線。AVALON總線能兼容大部分存儲器接口,IP核將AVALON總線時序轉(zhuǎn)接至NAND FLASH,從而對NAND FLASH進(jìn)行讀寫操作。

              IP邏輯主要有片選信號產(chǎn)生、ALE、CLE、RE、WE等控制信號的轉(zhuǎn)接。其中RE、WE信號可采用AVALON總線的RE、WE信號;CLE、ALE采用總線地址的低2位進(jìn)行控制;片選數(shù)量較多可依據(jù)AVALON總線的byteen信號進(jìn)行譯碼產(chǎn)生。


              圖2 控制器功能框圖

              //寫信號

              assign nand_wr_n = {avalon_wr_n,avalon_wr_n,avalon_wr_n,avalon_wr_n};

              //讀信號

              assign nand_rd_n = {avalon_rd_n,avalon_rd_n,avalon_rd_n,avalon_rd_n};

              //ALE信號,采用地址0

              assign nand_ale = {avalon_add[0],avalon_add[0]};

              //CLE信號,采用地址1

              assign nand_cle = {avalon_add[1],avalon_add[1]};

              //片選信號

              assign nand_cs_n[0] = temcs[0]|avalon_byteen_n[0];

              assign nand_cs_n[1] = temcs[0]|avalon_byteen_n[1];

              ……

              IP核設(shè)計完成后采用QSYS進(jìn)行硬件平臺搭建,QSYS系統(tǒng)軟核對外引出信號有EPCS、UART、NAND FLASH接口,在Quartus II建立原理圖塊進(jìn)行編譯產(chǎn)生硬件信息。


              采用Nios II Software Build Tools for Eclipse 對QSYS進(jìn)行軟件編程可實現(xiàn)對NAND FLASH的驅(qū)動。

              //NAND FLASH數(shù)據(jù)寄存器地址定義

              #define NandFlashDataReg0 (VDNF2T16_V1_0_BASE)

              //NAND FLASH ALE寄存器地址定義

              #define NandFlashAddReg0 (VDNF2T16_V1_0_BASE+4)

              //NAND FLASH CLE寄存器地址定義

              #define NandFlashCmdReg0 (VDNF2T16_V1_0_BASE+8)

              ……

              以下為讀取ID及壞塊的信息:

              ******************************************************************

              The cs=0 NAND_FLASH's ID is Right ,The ID is=0x2c881a7a9000

              ***********************************************************************

              This cs=0 FLASH's Bank=0 have 5 BadBlocks:

              The num=0 Bank LUN1's num=90 is BadBlock.

              The num=0 Bank LUN1's num=91 is BadBlock.

              The num=0 Bank LUN1's num=1738 is BadBlock.

              The num=0 Bank LUN2's num=90 is BadBlock.

              The num=0 Bank LUN2's num=91 is BadBlock.

              The Number of Bank's Valid Block is Right.

              ……

              4. 結(jié)論

              本文闡述了一種通過實現(xiàn)對歐比特公司的大容量NAND FLASH芯片VDNF2T16VP193EE4V25的操作方法。設(shè)計中采用ALTERA公司FPGA芯片,利用自建IP搭建硬件平臺實現(xiàn)NAND FLASH的驅(qū)動。該設(shè)計也可移植到其他FPGA上,可以很好地應(yīng)用在各嵌入式電子系統(tǒng)中。



            關(guān)鍵詞: NAND NIOS II FPGA

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