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            EEPW首頁 > 模擬技術 > 設計應用 > 解析替代電解電容的薄膜電容在DC-Link電容中應用

            解析替代電解電容的薄膜電容在DC-Link電容中應用

            作者: 時間:2018-08-28 來源:網(wǎng)絡 收藏

            在新能源及新能源汽車運用中,電容器在能源控制、電源管理、電源逆變以及直流交流變換等系統(tǒng)中是決定變流器壽命的關鍵元器件。變流技術在上述系統(tǒng)中普遍得到運用,然而在逆變器中直流電作為輸入電源,需通過直流母線與逆變器連接,該方式叫作DC-Link 或直流支撐。因逆變器在從DC-Link得到有效值和峰值很高的脈沖電流的同時,會在DC-Link上產生很高的脈沖電壓使得逆變器難以承受。

            本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/201808/387889.htm

            所以需要選擇DC-Link電容器來連接,一方面以吸收逆變器從DC-Link端的高脈沖電流,防止在DC-Link的阻抗上產生高脈沖電壓,使逆變器端的電壓波動處在可接受范圍內;另一方面也防止逆變器受到DC-Link端的電壓過沖和瞬時過電壓的影響。

            1概念理解

            1.1薄膜電容

            以金屬箔當電極,將其和聚乙酯,聚丙烯,聚笨乙烯或聚碳酸酯等塑料薄膜,從兩端重疊后,卷繞成圓筒狀的構造之電容器即薄膜電容。而依塑料薄膜的種類又被分別稱為聚乙酯電容(又稱Mylar電容),聚丙烯電容(又稱PP電容),聚苯乙烯電容(又稱PS電容)和聚碳酸電容。主要有無極性,絕緣阻抗很高,頻率特性優(yōu)異(頻率響應寬廣),而且介質損失很小?;谝陨系膬?yōu)點,所以薄膜電容器被大量使用在模擬電路上。尤其是在信號交連的部分,必須使用頻率特性良好,介質損失極低的電容器,方能確保信號在傳送時,不致有太大的失真情形發(fā)生。在所有的塑料薄膜電容當中,又以聚丙烯(PP)電容和聚苯乙烯(PS)電容的特性最為顯著,當然這兩種電容器的價格也比較高。然而音響器材為了提升聲音的品質,所采用的零件材料已愈來愈高級,價格并非最重要的考量因素,所以PP電容和PS電容被使用在音響器材的頻率與數(shù)量也愈來愈高。

            圖片說明:薄膜電容

            1.2電解電容

            電解電容器通常是由金屬箔(鋁/鉭)作為正電極,金屬箔的絕緣氧化層(氧化鋁/鉭五氧化物)作為電介質,電解電容器以其正電極的不同分為鋁電解電容器和鉭電解電容 器。鋁電解電容器的負電極由浸過電解質液(液態(tài)電解質)的薄紙/薄膜或電解質聚合物構成;鉭電解電容器的負電極通常采用二氧化錳.由于均以電解質作為負電極(注意和電介質區(qū)分),電解電容器因而得名。其單位體積的電容量非常大、額定的容量可以輕易做到幾萬μf甚至幾f(但不能和雙電層電容比)以及價格低占有很大的優(yōu)勢。因為電解電容的組成材料都是普通的工業(yè)材料,比如鋁等等。制造電解電容的設備也都是普通的工業(yè)設備,可以大規(guī)模生產,成本相對比較低。

            圖片說明:電解電容

            為新能源(含風力發(fā)電和光伏發(fā)電)以及新能源汽車電機驅動系統(tǒng)中DC-Link電容器的運用示意圖圖1、2.

            圖1為風力發(fā)電變流器電路拓撲圖,其中C1為DC-Link(一般整合到模塊上),C2為IGBT吸收,C3為LC濾波(網(wǎng)側),C4轉子側DV/DT濾波。圖2為光伏發(fā)電變流器電路拓撲圖,其中C1為DC濾波,C2為EMI濾波,C4為DC-Link,C6為LC濾波(網(wǎng)側),C3為DC濾波,C5為IPM/IGBT吸收。圖3為新能源汽車系統(tǒng)中主電機驅動系統(tǒng),其中C3為DCLink,C4為IGBT吸收電容。

            在上述提到的新能源領域運用中,DCLink電容作為一個關鍵器件,不管是在風力發(fā)電系統(tǒng)、光伏發(fā)電系統(tǒng)還是在新能源汽車系統(tǒng)中都要求高可靠性及長壽命,其選型顯得尤為重要。下面介紹薄膜電容與電解電容的特性對比及在DC-Link電容運用中兩者的分析對比:

            2.特性對比

            2.1 薄膜電容

            首先介紹薄膜金屬化的原理,薄膜金屬化技術的原理:在薄膜介質表面蒸鍍上足夠薄的金屬層,在介質存在缺陷的情況下,該鍍層能夠蒸發(fā)并因此隔離該缺陷點起到保護作用,這種現(xiàn)象被稱作自愈。圖4為金屬化鍍膜的原理圖,蒸鍍前薄膜介質先進行前期處理(電暈或其他方式)以便金屬分子能夠附著在上面。金屬通過在真空狀態(tài)下高溫溶化蒸發(fā)(鋁的蒸發(fā)溫度1400攝氏度~1600攝氏度,鋅的蒸發(fā)溫度400攝氏度~600攝氏度),當金屬蒸氣遇被冷卻的薄膜后凝結在薄膜表面(薄膜冷卻溫度-25攝氏度~-35攝氏度),從而形成金屬鍍層。金屬化技術的發(fā)展提高了單位厚度的薄膜介質的介電強度,干式技術脈沖或放電運用電容設計可以達到500V/μm,直流濾波運用電容設計可以達到250V/μm.DC-Link電容屬于后者,根據(jù)IEC61071對于電力電子運用電容的要求可以承受較為苛刻的電壓沖擊,可以達到2倍的額定電壓。因此使用者只需考慮其設計所需的額定工作電壓就可以了。金屬化薄膜電容器具有較低的ESR,使其能承受較大的紋波電流;較低的ESL滿足逆變器的低電感設計要求,減少了開關頻率下的震蕩效應。


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