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            單相PWM變換器傳導(dǎo)EMI的分析與抑制

            作者: 時間:2018-08-27 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

            在開關(guān)電源中,儲能元件(變壓器、電感和電容)的尺寸隨著開關(guān)頻率的增加成近似線性的減小。因而,高度集成開關(guān)電源一般需要高開關(guān)頻率和快速半導(dǎo)體設(shè)備。但是,高開關(guān)頻率將伴隨電壓和電流的變化率(dv/dt和di/dt)增加,這將直接影響開關(guān)電源的電磁兼容性。與此同時,EMI濾波器的效能會因?yàn)楦哳l寄生參數(shù)的影響而削弱,導(dǎo)致不能有效地濾出電源回路產(chǎn)生的高頻EMI噪聲。近年來,隨著EMC標(biāo)準(zhǔn)的不斷嚴(yán)格,對EMI的考慮也變得非常重要。目前,關(guān)于PWM變換器的EMI噪聲的理論分析的文章有很多。但是,對于EMI噪聲的產(chǎn)生和傳導(dǎo)途徑并沒有比較全面而深入的研究。因而,EMI噪聲,尤其是經(jīng)過旁路電容流向系統(tǒng)地的共模干擾電流很值得我們研究。

            本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/201808/387810.htm

            本文通過寄生電感和電容來建立變換器電路模型,對共模和差模干擾的基本模型進(jìn)行了分析。詳細(xì)講述了降低PWM變換器EMI的CM和DM濾波器的設(shè)計(jì)方法。

            一、變換器的高頻寄生參數(shù)模型

            圖1為基于IGBT的全橋PWM變換器電路。為了簡化分析過程,變壓器沒有在圖1中表示出來。為了對EMI濾波器進(jìn)行預(yù)測和計(jì)算,必須建立準(zhǔn)確的高頻模型。其模型具體包括元器件模型、濾波器模型和導(dǎo)線模型。

            圖1PWM變換器電路圖

            1.元器件模型

            圖2為完整的IGBT等效電路。由圖可知,電路包括了內(nèi)部和外部導(dǎo)線電感和IGBT集電極與模型金屬底座之間的電容。這些電容導(dǎo)致高頻漏電流流向連接散熱設(shè)備的金屬底座。散熱設(shè)備一般是良好接地以確保安全。IGBT設(shè)備是通過小的電子絕緣材料安放在金屬底座上。為了使溫度電阻盡可能小,其絕緣層要盡可能的薄,并且IGBT集電極與模型金屬底座之間的旁路電容要盡可能的大。

            圖2IGBT寄生參數(shù)等效電路

            2.濾波器模型

            濾波器效率不僅受濾波器的類型影響,也受濾波器組成阻抗與附近器件阻抗不同的影響。為了提高濾波器效率,本身的阻抗與附近器件阻抗必須有很大的不同。例如,如果濾波器有較小的容性阻抗,較多的高頻噪聲電流將通過。如果濾波器有較大的感性阻抗則較多的高頻噪聲電壓將被分開。但是,濾波器在高頻狀態(tài)下的阻抗往往不是我們所想象的這樣的。

            圖3濾波器寄生參數(shù)

            有很多寄生參數(shù)將對濾波器產(chǎn)生影響,首先討論電容的寄生參數(shù)對濾波器的影響。圖3(a)是一個簡單的等效電路,電感Llead為電路的導(dǎo)線電感,Rs為等效電阻。圖3b是電容阻抗大小的波德圖,頻率 f0()是電容的自適應(yīng)頻率。當(dāng)頻率從dc逐漸增大時,電容C的阻抗將線性減小-20dB/dec,在f0以上,電感的阻抗將線性增大+20db/dec。因此,如果電容的f0越大,導(dǎo)線電感將越小,則對于固定電容值的電容將有更好的效果。為了提高電容的效能,電容的引腳應(yīng)盡可能的短。如果將電容值增大不但不能減小EMI,反而增加電路的EMI,其自適應(yīng)頻率是主要的原因。典型的頻率如下:電解電容為1KHz,陶瓷電容為100KHz,聚脂薄膜電容為1MHz,塑膠電容為10MHz,聚脂陶瓷電容為100MHz。

            電感上的寄生參數(shù)對EMI濾波器的影響也是很大的。典型的等效電路如圖3(c)所示。Cpara和Rpara 表示電感的寄生電容和等效串聯(lián)電阻。圖3(d)是阻抗大小的波德圖。在小于f1時電感表現(xiàn)為電阻性,在f1與f0()表現(xiàn)為感性,大于f0表現(xiàn)為容性。因此可以等出結(jié)論,電感f0越大,頻率帶越寬。類似于電容,寄生電容值越小,電感將有更好的性能。

            3.導(dǎo)線模型

            導(dǎo)線模型包括支線和母線。支線有導(dǎo)線電感,大約為1uH/m。如果支線較短,其寄生電容可以不用考慮。因此,連結(jié)線應(yīng)該是越短越好。從實(shí)驗(yàn)結(jié)果可知,當(dāng)輸入輸出電纜長度超過5m時,寄生電容將不能忽視。母線經(jīng)常是用于聯(lián)結(jié)直流電源與兩IGBT引腳。其引線電感L一般比較小,但di/dt常常比較大,因此會非常大,這就是導(dǎo)致差模干擾的主要原因。

            二、EMI噪聲

            EMI噪聲主要包括兩個部分:差模干擾和共模干擾。差模干擾電流一般是由導(dǎo)線流向中性點(diǎn)或者由中性點(diǎn)流向?qū)Ь€,共模干擾電流通常流入電路與保護(hù)地之間的寄生電容上[4]。由于輸入端一般加有輸入差模濾波器,共模EMI一般比差模EMI要大很多。


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