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            EEPW首頁(yè) > 模擬技術(shù) > 設(shè)計(jì)應(yīng)用 > 設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源時(shí)防止EMI的22個(gè)措施

            設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源時(shí)防止EMI的22個(gè)措施

            作者: 時(shí)間:2018-08-09 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

            作為工作于開(kāi)關(guān)狀態(tài)的能量轉(zhuǎn)換裝置,開(kāi)關(guān)電源的電壓、電流變化率很高,產(chǎn)生的干擾強(qiáng)度較大; 干擾源主要集中在功率開(kāi)關(guān)期間以及與之相連的散熱器和高平變壓器,相對(duì)于數(shù)字電路干擾源的位置 較為清楚;開(kāi)關(guān)頻率不高(從幾十千赫和數(shù)兆赫茲),主要的干擾形式是傳導(dǎo)干擾和近場(chǎng)干擾;而印 刷線路板(PCB)走線通常采用手工布線,具有更大的隨意性,這增加了 PCB 分布參數(shù)的提取和近場(chǎng) 干擾估計(jì)的難度。

            本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/201808/386069.htm

            1MHZ 以內(nèi)----以差模干擾為主,增大 X 電容就可解決

            1MHZ---5MHZ---差模共?;旌希捎幂斎攵瞬⒁幌盗蠿電容來(lái)濾除差摸干擾并分析出是哪種干擾超標(biāo) 并解決;5M---以上以共摸干擾為主,采用抑制共摸的方法。對(duì)于外殼接地的,在地線上用一個(gè)磁環(huán)繞 2 圈 會(huì)對(duì) 10MHZ 以上干擾有較大的衰減(diudiu2006);對(duì)于 25--30MHZ 不過(guò)可以采用加大對(duì)地 Y 電容、 在變壓器外面包銅皮、改變 PCBLAYOUT、輸出線前面接一個(gè)雙線并繞的小磁環(huán),最少繞 10 圈、在輸 出整流管兩端并 RC 濾波器。

            30---50MHZ 普遍是 MOS 管高速開(kāi)通關(guān)斷引起,可以用增大 MOS 驅(qū)動(dòng)電阻,RCD 緩沖電路采用 1N4007 慢管,VCC 供電電壓用 1N4007 慢管來(lái)解決。

            100---200MHZ 普遍是輸出整流管反向恢復(fù)電流引起,可以在整流管上串磁珠

            100MHz-200MHz 之間大部分出于 PFCMOSFET 及 PFC 二極管,現(xiàn)在 MOSFET 及 PFC 二極管串磁 珠有效果,水平方向基本可以解決問(wèn)題,但垂直方向就很無(wú)奈了

            開(kāi)關(guān)電源的輻射一般只會(huì)影響到 100M 以下的頻段。也可以在 MOS,二極管上加相應(yīng)吸收回路,但效率 會(huì)有所降低。

            設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源時(shí)防止 EMI 的措施

            1.把噪音電路節(jié)點(diǎn)的 PCB 銅箔面積最大限度地減小;如開(kāi)關(guān)管的漏極、集電極,初次級(jí)繞組的節(jié)點(diǎn),等。

            2.使輸入和輸出端遠(yuǎn)離噪音元件,如變壓器線包,變壓器磁芯,開(kāi)關(guān)管的散熱片,等等。

            3.使噪音元件(如未遮蔽的變壓器線包,未遮蔽的變壓器磁芯,和開(kāi)關(guān)管,等等)遠(yuǎn)離外殼邊緣,因?yàn)樵谡2僮飨峦鈿み吘壓芸赡芸拷饷娴慕拥鼐€。

            4.如果變壓器沒(méi)有使用電場(chǎng)屏蔽,要保持屏蔽體和散熱片遠(yuǎn)離變壓器。

            5.盡量減小以下電流環(huán)的面積:次級(jí)(輸出)整流器,初級(jí)開(kāi)關(guān)功率器件,柵極(基極)驅(qū)動(dòng)線路,輔助整流器。

            6.不要將門(mén)極(基極)的驅(qū)動(dòng)返饋環(huán)路和初級(jí)開(kāi)關(guān)電路或輔助整流電路混在一起。

            7.調(diào)整優(yōu)化阻尼電阻值,使它在開(kāi)關(guān)的死區(qū)時(shí)間里不產(chǎn)生振鈴響聲。

            8.防止 EMI 濾波電感飽和。

            9.使拐彎節(jié)點(diǎn)和次級(jí)電路的元件遠(yuǎn)離初級(jí)電路的屏蔽體或者開(kāi)關(guān)管的散熱片。

            10.保持初級(jí)電路的擺動(dòng)的節(jié)點(diǎn)和元件本體遠(yuǎn)離屏蔽或者散熱片。

            11.使高頻輸入的 EMI 濾波器靠近輸入電纜或者連接器端。

            12.保持高頻輸出的 EMI 濾波器靠近輸出電線端子。

            13.使 EMI 濾波器對(duì)面的 PCB 板的銅箔和元件本體之間保持一定距離。

            14.在輔助線圈的整流器的線路上放一些電阻。

            15.在磁棒線圈上并聯(lián)阻尼電阻。

            16.在輸出 RF 濾波器兩端并聯(lián)阻尼電阻。

            17.在 PCB 設(shè)計(jì)時(shí)允許放 1nF/500V 陶瓷電容器或者還可以是一串電阻,跨接在變壓器的初級(jí)的靜端和輔助繞組之間。

            18.保持 EMI 濾波器遠(yuǎn)離功率變壓器;尤其是避免定位在繞包的端部。

            19.在 PCB 面積足夠的情況下,可在 PCB 上留下放屏蔽繞組用的腳位和放 RC 阻尼器的位置,RC 阻尼器可跨接在屏蔽繞組兩端。

            20.空間允許的話在開(kāi)關(guān)功率場(chǎng)效應(yīng)管的漏極和門(mén)極之間放一個(gè)小徑向引線電容器(米勒電容,10 皮法/1 千伏電容)。

            21.空間允許的話放一個(gè)小的 RC 阻尼器在直流輸出端。

            22.不要把 AC 插座與初級(jí)開(kāi)關(guān)管的散熱片靠在一起。



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