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            IGBT的基礎(chǔ)與運(yùn)用

            作者: 時(shí)間:2018-08-08 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

            本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/201808/385920.htm

            說說我個(gè)人的看法,對(duì)這個(gè)問題,定量的去計(jì)算得到整個(gè)時(shí)間非常困難,其實(shí)就是仿真也是通過數(shù)字建模之后進(jìn)行實(shí)時(shí)計(jì)算的結(jié)果,這個(gè)模型與實(shí)際的條件進(jìn)行對(duì)比也可能有很大的差距。

            因此如果有人要核算整個(gè)柵極控制時(shí)序和時(shí)間,利用電容充電的辦法大致給出一個(gè)很粗略的結(jié)果是可以的,如果要精確的,算不出來。

            對(duì)于門級(jí)電阻來說,每次開關(guān)都屬于瞬態(tài)功耗,可以使用以前介紹過的電阻的瞬態(tài)功率進(jìn)行驗(yàn)算吧。

            電阻抗脈沖能力

            我們選電阻的大小是為了提供足夠的電流,也是為了足夠自身散熱情況。

            前級(jí)的三極管,這個(gè)三極管的速度要非常快,否則如果進(jìn)入飽和的時(shí)間不夠短,在充電的時(shí)候?qū)⒖赡苡秀Q制作用,因此我對(duì)于這個(gè)電路的看法是一定要做測(cè)試??蛰d的和帶負(fù)載的,可能情況有很大的差異。

            柵極驅(qū)動(dòng)的改進(jìn)歷程和辦法(針對(duì)米勒平臺(tái)關(guān)斷特性)

            柵極電阻:其目的是改善控制脈沖上升沿和下降沿的斜率,并且防止寄生電感與電容振蕩,限制IGBT集電極電壓的尖脈沖值。

            柵極電阻值小——充放電較快,能減小開關(guān)時(shí)間和開關(guān)損耗,增強(qiáng)工作的耐固性,避免帶來因dv/dt的誤導(dǎo)通。缺點(diǎn)是電路中存在雜散電感在IGBT上產(chǎn)生大的電壓尖峰,使得柵極承受噪聲能力小,易產(chǎn)生寄生振蕩。

            柵極電阻值大——充放電較慢,開關(guān)時(shí)間和開關(guān)損耗增大。

            一般的:開通電壓15V±10%的正柵極電壓,可產(chǎn)生完全飽和,而且開關(guān)損耗最小,當(dāng)《12V時(shí)通態(tài)損耗加大,》20V時(shí)難以實(shí)現(xiàn)過流及短路保護(hù)。關(guān)斷偏壓-5到-15V目的是出現(xiàn)噪聲仍可有效關(guān)斷,并可減小關(guān)斷損耗最佳值約為-8~10V。

            柵極參數(shù)對(duì)電路的影響

            IGBT內(nèi)部的續(xù)流二極管的開關(guān)特性也受柵極電阻的影響,并也會(huì)限制我們選取柵極阻抗的最小值。IGBT的導(dǎo)通開關(guān)速度實(shí)質(zhì)上只能與所用續(xù)流二極管反向恢復(fù)特性相兼容的水平。柵極電阻的減小不僅增大了IGBT的過電壓應(yīng)力,而且由于IGBT模塊中di/dt的增大,也增大了續(xù)流二極管的過壓極限。

            柵極電阻與關(guān)斷變化圖

            柵極驅(qū)動(dòng)的印刷電路板布線需要非常注意,核心問題是降低寄生電感,對(duì)防止?jié)撛诘恼袷?,柵極電壓上升速率,噪音損耗的降低,降低柵極電壓的需求或減小柵極保護(hù)電路的效率有較大的影響。

            措施

            因此將驅(qū)動(dòng)至柵極的引線加粗,將之間的寄生電感減至最低??刂瓢迮c柵極驅(qū)動(dòng)電路需要防止功率電路和控制電路之間的電感耦合。

            當(dāng)控制板和IGBT控制端子不能直接連接時(shí),考慮用雙股絞線(2轉(zhuǎn)/CM小于3CM長)或帶狀線,同軸線進(jìn)行連接。

            柵極保護(hù)

            為了保險(xiǎn)起見,可采用TVS等柵極箝位保護(hù)電路,考慮放置于靠近IGBT模塊的柵極和發(fā)射極控制端子附近。IGBT基礎(chǔ)與運(yùn)用-2 中英飛凌的電路比較典型。

            耦合干擾與噪聲

            IGBT的開關(guān)會(huì)使用相互電位改變,PCB板的連線之間彼此不宜太近,過高的dv/dt會(huì)由寄生電容產(chǎn)生耦合噪聲。要減少器件之間的寄生電容,避免產(chǎn)生耦合噪聲。

            由于IGBT等功率器件都存在一定的結(jié)電容,所以會(huì)造成器件導(dǎo)通關(guān)斷的延遲現(xiàn)象。雖然我們盡量考慮去降低該影響(提高控制極驅(qū)動(dòng)電壓電流,設(shè)置結(jié)電容釋放回路等)。但是為了防止關(guān)斷延遲效應(yīng)造成上下橋臂直通,因?yàn)橐粋€(gè)橋臂未完全關(guān)斷,而另一橋臂又處于導(dǎo)通狀態(tài),直通炸模塊后后果非常嚴(yán)重(最好的結(jié)果是過熱)。

            死區(qū)時(shí)間(空載時(shí)間)設(shè)置

            在控制中,人為加入上下橋臂同時(shí)關(guān)斷時(shí)間,以保證驅(qū)動(dòng)的安全性。死區(qū)時(shí)間大,模塊工作更加可靠,但會(huì)帶來輸出波形的失真及降低輸出效率。死區(qū)時(shí)間小,輸出波形要好一些,只是會(huì)降低可靠性,一般為us級(jí),典型數(shù)值在3us以上。

            在汽車電子應(yīng)用中,特別要注意環(huán)境溫度對(duì)toff的影響很大,使得toff延長,并且柵極電阻的加入也是的關(guān)斷時(shí)間受一定的影響,因此需要進(jìn)行調(diào)整。

            IGBT柵極引起的問題列表(紅色部分圈注的):


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