去耦電容的選擇不存在與頻率的精確對應(yīng)關(guān)系，理論上越大越好，但現(xiàn)實中所有器件都不是理想器件，不論何種電容，ESL、ESR都是必然存在的，于是實際電容的頻響曲線明顯呈非線性，僅在一定頻率區(qū)間內(nèi)基本符合純電容的理論計算結(jié)果，超出一定界限后就與理論值越差越遠(yuǎn)，超到一定程度后甚至電容將不再是電容了，這個頻率稱“自諧振頻率”，同樣材料和制造工藝下，容量越小的電容自諧振頻率越高。所以去耦電容的選擇除了需大致考慮頻率外，還要考慮負(fù)載的情況，在一定頻率之后還得考慮電容的材料和生產(chǎn)工藝等，在此基礎(chǔ)上綜合的結(jié)果決定去耦電容的容量和種類。

通常數(shù)字電路的噪聲頻率在兆至百兆量級區(qū)間，這個區(qū)間的噪聲采用陶瓷獨石介質(zhì)的0.1uF電容就可取得合適的效果，如果負(fù)載較重或噪聲較強，可選擇更大容量的電容或用多個電容并聯(lián)，同樣容量和電容材料下，小電容并聯(lián)的效果強于單一大電容，頻率越高越明顯，高頻去耦則需采用大小電容并聯(lián)的方式分別對付不同頻譜的噪聲。

一般去耦電容的容量選取原則：

100M以下輕載：0.1uF，重載或存在較大低頻噪聲的可加并1-10uF的電容，介質(zhì)材料選擇陶瓷或鉭為宜;

100M-1000M：前述+100-1000pF(+10pF)，括號內(nèi)根據(jù)頻率的高限選擇是否需要，小電容的介質(zhì)選擇必須是高頻陶瓷，早期則多用云母，

1G以上：前述+1-10pF，介質(zhì)最好選擇高Q微波陶瓷材料。

高頻重載時必須用多個小電容并聯(lián)切不可直接用大電容。

順便一說，技術(shù)上去耦電容不是一般稱的濾波電容，濾波電容指電源系統(tǒng)用的，去藕電容則是分布在器件附近或子電路處主要用于對付器件自身或外源性噪聲的特殊濾波電容，故有特稱——去耦電容，去耦指“去除(噪聲)耦合”之意。