三星首發(fā)LPDDR5內(nèi)存芯片：6400Mbps、功耗降低30%
加入技術(shù)交流群
三星今晨宣布，成功開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款LPDDR5-6400內(nèi)存芯片，基于10nm級(10～20nm)工藝。
本文引用地址：http://www.biyoush.com/article/201807/383446.htm據(jù)悉，該LPDDR5內(nèi)存芯片單顆容量8Gb(1GB)，8GB容量的模組原型也做出并完成功能驗證。
其它基本規(guī)格還有，內(nèi)存速度(針腳帶寬)最高6400Mbps，是LPDDR4X 4266Mbps的1.5倍。三星稱，每秒可以傳送51.2GB數(shù)據(jù)(比如高端手機常見的64bit bus)，相當(dāng)于14部1080P電影(每部3.7GB)。要是PC的128bit BUS，每秒破100GB無壓力。
與此同時，功耗比LPDDR4X降低高達(dá)30%，主要是得益于動態(tài)調(diào)節(jié)電壓、避免無效消耗、深度睡眠等技術(shù)加入。
三星的8Gb LPDDR5規(guī)格彈性較高，1.1V工作電壓下可達(dá)6400Mbps，1.05V下可達(dá)5500Mbps，供手機、車載平臺自行選擇。
資料顯示，三星在2014年首先成功量產(chǎn)8Gb LPDDR4內(nèi)存芯片，之后，就開始推進(jìn)向LPDDR5新標(biāo)準(zhǔn)的過渡。
新的8Gb LPDDR5內(nèi)存芯片是三星高端DRAM產(chǎn)品線的一部分，后者已經(jīng)包括10nm級的16Gb GDDR6顯存芯片(2017年12月量產(chǎn))和16Gb DDR5內(nèi)存芯片(今年2月份開發(fā)完成)。
LPDDR5內(nèi)存芯片將用于移動設(shè)備如手機、平板、二合一電腦等，三星稱，5G和AI將是其主力服務(wù)的場景。
三星將在位于韓國平澤市的工廠量產(chǎn)LPDDR5、GDDR6和DDR5 DRAM芯片。
評論