盡管5G通信系統(tǒng)需要線性放大來保持調(diào)制保真度，但為了提供一個便于比較的性能指標，還是有必要測量輸出P1dB和PAE。測量所得性能如圖8所示，可見P1dB在20.2dBm左右，并在飽和時上升到21dBm。FEM的發(fā)射通道PAE約為20%，僅在該頻帶的高段略有下降。

　　圖8：發(fā)射通道測得的P1dB和PAE隨頻率的變化關系

　　如上所述，該FEM的設計是為了實現(xiàn)從P1dB回退7dB左右時的最佳性能指標(OIP3和PAE)。具體指標是在100MHz間隔的雙頻測試中，IMD3(三階交調(diào)項)相對于所需有用信號，要低-35dBc。這個工作點很接近于該射頻前端將用于的5G系統(tǒng)的設定要求。

　　圖9顯示了在-35dBc的IMD3點工作時，測量和仿真的PAE和總射頻輸出功率的關系圖。測得的PAE達到較好的6.5%，主要是由于PA被設計工作在深AB類?？偵漕l輸出功率大約為13.5dBm，這對應于+28dBm的OIP3功率。

　　圖9：7dB功率回退下發(fā)射通道測試和仿真所得的功率和PAE比較。

　　根據(jù)片上射頻通道功率檢測器的特性，可通過一個直流電壓監(jiān)測射頻輸出功率的大小。圖10給出了溫度補償檢測器輸出電壓“Vref-Vdet”(mV為單位，對數(shù)坐標)與輸出功率(單位dBm)的關系，包含了超過15dB的變化范圍。在對數(shù)坐標下這個特性關系是線性的，使得功率監(jiān)測更容易。

　　圖10：28GHz時射頻前端模塊發(fā)射通道的片上功率檢測器輸出特性曲線

　　當使用FEM的接收通道時，PA被關閉，“Vctrl1”設置為0V，LNA被偏置在+4V電源下10mA左右，此時在“LNA_Vsense”引腳上觀察到3.9V電壓。圖11給出了測量和仿真增益和噪聲系數(shù)(NF)的比較。測得的小信號增益約為13.5dB，整個頻段的增益平坦度達到±0.3dB。接收通道具有極佳的噪聲系數(shù)，從27到29GHz的典型值為3.3dB，且仿真和測量到的性能之間具有良好的一致性。

　　圖11：接收通道測試和仿真所得增益與噪聲系數(shù)

　　接收通道也具有相當不錯的線性度，且只消耗不大的功率(只有40mW：4V時10mA)。諸如P1dB和OIP3等關鍵指標在整個頻段分別為6.2和21dBm左右。圖12是測試所得P1dB和OIP3隨頻率變化的關系。

　　圖12：接收通道測試所得P1dB和OIP3

　　4.結(jié)論

　　本文介紹的射頻前端MMIC將在未來的28GHz頻段5G系統(tǒng)中發(fā)揮關鍵作用。該模塊已經(jīng)驗證可以滿足集成到毫米波相控陣或波束切換終端的所有要求，并提供卓越的發(fā)射通道線性度和效率，同時還有出色的接收噪聲系數(shù)。發(fā)射和接收通道的關鍵性能指標都達到了設計要求，使得該模塊非常適合毫米波5G應用。該芯片還包括了多種實用的功能，如發(fā)射功率檢測器、發(fā)射和接收賦能電路，SPDT譯碼器電路和接收偏置監(jiān)測電路。采用最先進的0.15μm增強型砷化鎵PHEMT工藝實現(xiàn)。該模塊非常易于使用常見的多通道ADC和DAC芯片進行控制和監(jiān)測。此外，該模塊可方便地封裝在一個緊湊且低成本的5mm × 5mm QFN表貼塑料封裝中。