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            EEPW首頁 > 設計應用 > 一種用于超高速ADC的輸入信號緩沖器設計

            一種用于超高速ADC的輸入信號緩沖器設計

            作者:胡遠冰 時間:2018-05-30 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏
            編者按:提出一種基于TSMC40LP工藝的輸入信號緩沖器,用于12 bit 4 GSPS ADC的緩沖器設計。本緩沖器采用開環(huán)源隨器結(jié)構,由于工藝角和溫度變化,開環(huán)結(jié)構的緩沖器的輸出共模將會漂移,導致比較器的輸入共模發(fā)生漂移,使得比較器的比較結(jié)果發(fā)生錯誤。采用Replica共模反饋的方式為主緩沖器提供共模,實現(xiàn)緩沖器的輸出共模的穩(wěn)定,避免比較器因為共模變化而工作不正常。為了達到線性度的要求,通過疊層源隨器和電容,將輸入信號耦合到源隨器的漏端,避免了短溝道器件的溝調(diào)效應。源隨器采用深N阱器件,消除了襯底偏置效應。本

            作者 胡遠冰 電子科技大學 微電子與固體電子學院(四川 成都 610054)

            本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/201805/380762.htm

              胡遠冰(1989-),男,碩士生,研究方向:模擬集成電路設計。

            摘要:提出一種基于TSMC40LP工藝的輸入信號,用于12 bit 4 GSPS ADC的設計。本采用開環(huán)源隨器結(jié)構,由于工藝角和溫度變化,開環(huán)結(jié)構的緩沖器的輸出共模將會漂移,導致比較器的輸入共模發(fā)生漂移,使得比較器的比較結(jié)果發(fā)生錯誤。采用Replica共模反饋的方式為主緩沖器提供共模,實現(xiàn)緩沖器的輸出共模的穩(wěn)定,避免比較器因為共模變化而工作不正常。為了達到的要求,通過疊層源隨器和電容,將輸入信號耦合到源隨器的漏端,避免了短溝道器件的溝調(diào)效應。源隨器采用深N阱器件,消除了。本源隨器提供強大的輸入信號驅(qū)動,避免多通道ADC交織時,相互之間的影響。同時驅(qū)動大的電容負載,并提供高質(zhì)量的輸入信號。后仿真得到源隨器的最小帶寬為9.7 GHz,在1 pF負載,500 MHz,800 mVpp輸入信號時,SFDR為79.86 dB,滿足12 bit 4 GSPS ADC的要求。

            0 引言

              輸入信號緩沖器,可以采用閉環(huán)單位增益運放的方式實現(xiàn),這也是最為常見的方式。對于低速ADC而言,可以不用緩沖器,或者閉環(huán)運放的方式,而超高速ADC而言,如果不采用緩沖器,通常封裝的寄生電感會使得輸入信號質(zhì)量變差。高速高帶寬應用的閉環(huán)運放穩(wěn)定性是很難保證的。緩沖器將提供強大的輸入信號驅(qū)動,避免多通道ADC交織時,相互之間的影響。同時驅(qū)動大的電容負載,并提供高質(zhì)量的輸入信號。因此對于超高速ADC而言,輸入信號緩沖器是至關重要的模塊之一。源隨器作為ADC的緩沖器,其輸出阻抗低,結(jié)合ADC的采樣電容,可以達到寬帶的目的。

            1 硬件設計

              常見的源隨器主要有兩種結(jié)構:單管源隨器[1](Source follower)和超級源隨器[2](Super-source follower)。

              圖1為單管源隨器電路及其小信號等效電路,通過小信號等效模型可以計算出輸入輸出增益和輸出阻抗。從其表達式也可以看出,輸入輸出增益近似為單位增益,輸出阻抗小,但是輸入輸出的、襯偏效應(深N阱工藝不受影響)的影響,使得輸入輸出在高頻時迅速變差。


            (1)

              由于MOS管的跨導較小,單管源隨器的輸出阻抗較大,要實現(xiàn)大帶寬較為困難,需要較大的功耗。為了進一步減小輸出阻抗,采用負反饋方式的超級源隨器,以輸出阻抗減小環(huán)路增益的倍數(shù)。超級源隨器及其小信號等效電路[2],如圖2所示。

              當輸入信號保持不變時,輸出減小,使得NM1的漏端也減小,PM1的柵源電壓增大,流過PM1的電流變大,使得輸出電壓增大,實現(xiàn)電壓負反饋,達到穩(wěn)定輸出的目的。根據(jù)KCL方程可以得到超級源隨器的增益和輸出阻抗的表達式:其中rno與rpo分別為NM1與PM1的輸出阻抗;r1與r2為電流源的輸出電阻。

            (2)

              假設電流源是理想電流源,與單管源隨器相比具有更大的增益,更小的輸出阻抗。但是超級源隨器仍然存在溝調(diào)效應和襯偏效應非理想因素的影響,導致高頻輸出信號的線性度變差。調(diào)研發(fā)現(xiàn),有不少的文章都在致力于解決上述源隨器存在的非理想效應[3-6],但是效果不是很理想,不能應用于超高速ADC。

              通過上述的分析,傳統(tǒng)的源隨器與超級源隨器結(jié)構均存在,會影響高速ADC輸入信號的線性度,惡化ADC的性能[7]?;谡{(diào)研分析,采用一種解決的源隨器結(jié)構[3-4],同時能夠滿足超高速ADC的線性度要求。圖3為本設計采用的適用于超高速ADC輸入信號緩沖器的基本電路結(jié)構。NM1、NM2、NM3、NM4構成源隨器的主要輸入對管。R1、C1解決高頻輸入時的源隨器線性度下降。R3為終端電阻,其共模電壓由共模反饋部分提供。NM5、NM6、NM7、NM8和Amp構成共模反饋。

              本設計所采用的源隨器電路解決了傳統(tǒng)源隨器存在的非理想因素。NM1、NM2、NM3、NM4均為深N阱器件,在設計時不用考慮襯底偏置效應的影響。通過C1、NM3、NM4將輸入信號耦合到節(jié)點NA、NB,使得NM1、NM2的漏源電壓變化減小,減小了溝調(diào)效應的影響,提高線性度。傳統(tǒng)的設計是不含共模反饋的,對于超高速ADC應用的緩沖器設計共模反饋需要很高的帶寬,在穩(wěn)定性方面是很難保證的,而且功耗非常大。為了克服輸出輸共模隨溫度和工藝的變化,提出了共模反饋的解決方案,為了滿足超高速ADC的應用,本設計提出了Replica的共模反饋方式,給主源隨器提供共模電壓,將源隨器按比例復制用于共模反饋,那么共模反饋部分工作在DC狀態(tài),穩(wěn)定性可以很好地得到滿足,功耗也較低。通過共模反饋的使用,解決了因為工藝角和溫度變化使得輸出共模變化的問題,保證后續(xù)比較器能夠正常工作。

              在設計源隨器時,根據(jù)ADC的指標來計算,對于12 bit 4 GSPS ADC而言,用SFDR近似SNDR計算:

            (3)

              要達到12位精度,SFDR=74 dB,要達到11位精度,SFDR=67.98 dB。

              對于輸入buffer,以單極點近似有:

            (4)

              要求在一個周期內(nèi)buffer的輸出能夠建立到0.5 LSB范圍內(nèi):

            (5)

              得到輸入buffer的帶寬滿足:

            (6)

              考慮工藝角和溫度變化對帶寬的影響,取BW=7 GHz。但實際的時鐘包含上升沿、下降沿以及非交疊時間,建立時間不會達到一個周期,所以建立時間會比一個時鐘周期要短,因此在設計時取帶寬BW=10 GHz。

            2 前仿真驗證

              完成源隨器設計后,源隨器負載電容為1.5 pF,200 mV的正弦輸入信號通過4.7 μF電容交流耦合進入源隨器。圖4為Buffer各個Corner下的帶寬前仿真如圖4所示(SSHT最小為10.8 GHz)。

              對源隨器的輸出進行FFT分析,得到不同工藝角下源隨器輸出的線性度(SFDR),如表1所示。

              前仿真可以看到,本次設計緩沖器,在低頻的線性度均在85 dB以上,1.8 GHz輸入信號時,線性度均在71 dB以上,滿足12 bit 4 GSPS ADC的應用要求。

            3 后仿真驗證

              在該源隨器經(jīng)過前仿真驗證后,充分考慮匹配和減小寄生,進行版圖實現(xiàn),進行寄生參數(shù)提取,完成后仿真驗證。圖5為TT Corner下源隨器輸出信號在不同輸入信號頻率時,輸出信號的頻譜,從中可以得到SFDR參數(shù),不同Corner的統(tǒng)計結(jié)果如表2所示,與前仿真相比,后仿真線性度有一定的減小,最小帶寬大于9.6 GHz。均滿足12 bit 4 GSPS ADC的要求。

            4 結(jié)論

              本次設計所提出的源隨器結(jié)構,適用于超高速ADC的輸入信號緩沖器,解決了傳統(tǒng)緩沖器存在的溝調(diào)效應和襯偏效應。提出了Replica的共模反饋方式,為緩沖器提供共模,解決了ADC緩沖器的輸出共模在工藝角和溫度變化后發(fā)生漂移的問題。仿真驗證得到源隨器的低頻線性度均在73 dB以上,奈奎斯特頻率輸入的線性度均在65 dB以上,滿足12 bit 4 GSPS ADC設計需要。

              參考文獻:

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              [2]M.Koutani,Y.Fujimoto,M.Miyamoto.A highly linear CMOS buffer circuit with an adjustable output impedance[C].Proceedings of the IEEE 2003 Custom Integrated Circuits Conference, 2003,685-688.

              [3]M.V.Campos,A.L.Fortunato,C.A.dos Reis Filho.New 12-bit source-follower track-and-hold circuit suitable for high-speed applications[C].2011 IEEE/IFIP 19th International Conference on VLSI and System-on-Chip,Hong Kong,2011, 82-85.

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              [5]J. Matsuno, M. Hosoya, M. Furuta and T. Itakura.A 3-GS/s 5-bit Flash ADC with wideband input buffer amplifier[C].2013 International Symposium onVLSI Design, Automation, and Test (VLSI-DAT), Hsinchu, 2013,1-4.

              [6]S. W. Yoon and K. W. Kwon, A source-follower with bias current regulator for enhanced linearity[C].2015 International SoC Design Conference (ISOCC), Gyungju, 2015,243-244. [7]M.Straayer.27.5 A 4GS/s time-interleaved RF ADC in 65nm CMOS with 4GHz input bandwidth[C].2016 IEEE International Solid-State Circuits Conference (ISSCC), San Francisco, CA,2016,464-465.

              本文來源于《電子產(chǎn)品世界》2018年第6期第55頁,歡迎您寫論文時引用,并注明出處。



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