存儲器大廠美光(Micron)昨(22)日在美國召開分析師大會，美光執(zhí)行長Sanjay Mehrotra表示，存儲器市場已出現(xiàn)典范轉型，以智能型手機為中心的行動時代(mobile era)，逐步轉進人工智能(AI)等的數(shù)據(jù)經(jīng)濟時代(data economy era)。數(shù)據(jù)經(jīng)濟需要搭載大量DRAM及NAND Flash協(xié)助運算，存儲器市場可望一路好到2021年。

　　Sanjay Mehrotra表示，2000～2007年是PC及網(wǎng)際網(wǎng)路的時代，每年創(chuàng)造出的存儲器(包括DRAM、NAND/NOR Flash、SSD等)需求達2500億GB，平均每年帶來的產(chǎn)值達380億美元。2008～2016年進入了行動時代，每年創(chuàng)造出高達7兆GB的存儲器需求，平均每年帶來的產(chǎn)值達620億美元。

　　但2017年進入了所謂的數(shù)據(jù)經(jīng)濟時代，光去年一年就創(chuàng)造了22兆GB的存儲器需求，市場產(chǎn)值更是暴增至1,280億美元規(guī)模。Sanjay Mehrotra預估，數(shù)據(jù)經(jīng)濟需要更多的存儲器協(xié)助運算及儲存，預計至2021年將創(chuàng)造出高達62兆GB的存儲器需求，市場產(chǎn)值更會見到爆炸性成長。

　　在數(shù)據(jù)經(jīng)濟的時代，AI是主角，創(chuàng)造了龐大的數(shù)據(jù)量及價值，例如自然語言的運算就要大量存儲器協(xié)助運算及儲存，圖像數(shù)據(jù)的儲存也需要更大的存儲器。對智能型手機來說，在導入3D感測、4K影像、虛擬及擴充實境(VR/AR)功能后，終端邊緣運算也得搭載更多的DRAM及NAND Flash。再者，正在快速起飛的車用電子、云端運算、數(shù)據(jù)中心等應用，對存儲器需求更是較今年呈現(xiàn)倍數(shù)成長。

　　對存儲器產(chǎn)業(yè)來說，DRAM制程進入10納米世代后，需要更大的資本支出，但至2021年的位元年復合成長率僅20%，NAND Flash進入3D NAND制程要全面更改設備，資本支出同樣龐大，但至2021年的位元年復合成長率僅40～45%。

　　Sanjay Mehrotra表示，在需求快速成長但供給增加趨緩的情況下，存儲器產(chǎn)業(yè)結構性改變，已創(chuàng)造出健康的動能循環(huán)，存儲器市況可望一路好到2021年。