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            SiC將與IGBT或MOSFET共存

            作者: 時間:2018-04-08 來源:電子產(chǎn)品 世界 收藏

            作者/落合康彥 電子中國汽車電子業(yè)務(wù)中心高級部門專家

            本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/201804/378004.htm

            雖然有成本方面的問題,但是其眾所周知的在各個高端應(yīng)用中所表現(xiàn)出的高性能也能夠彌補(bǔ)其在價格方面的短板,尤其是在電動車與再生能源越來越受到重視,將為中功率、高功率應(yīng)用領(lǐng)域帶來大量需求。氮化鎵技術(shù)能夠降低成本,又能夠保持半導(dǎo)體器件的優(yōu)越性能,在中、低功率應(yīng)用領(lǐng)域具備擁有巨大潛力。但也并不是說將來所有的功率器件都會被替代,我們認(rèn)為和現(xiàn)存的IGBT或MOSFET都能在其有優(yōu)勢的領(lǐng)域中共同發(fā)揮所長,共生共棲。

            電子已經(jīng)推出了集成電源轉(zhuǎn)換電路的低損耗碳化硅功率器件,能夠提供工業(yè)設(shè)備的電源產(chǎn)品的功率器件的解決方案,同時也著手開始以面向車載為重點的碳化硅MOSFET的研發(fā),為電動汽車的應(yīng)用帶來最佳的解決方案。



            關(guān)鍵詞: 瑞薩 碳化硅

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