今天，格芯揭示硅光子路線圖的新信息，推動(dòng)數(shù)據(jù)中心和云應(yīng)用的新一代光學(xué)互連。格芯已經(jīng)用300 mm晶圓認(rèn)證了行業(yè)首個(gè)90 nm制造工藝，同時(shí)宣布未來的45 nm技術(shù)將帶來更大的帶寬和能效。

　　格芯的硅光子技術(shù)旨在應(yīng)對(duì)全球通信基礎(chǔ)設(shè)施中的大規(guī)模數(shù)據(jù)增長(zhǎng)。不同于利用銅線電信號(hào)傳輸數(shù)據(jù)的傳統(tǒng)互連，硅光子技術(shù)使用光纖光脈沖，以更高的速度在更遠(yuǎn)距離上傳輸數(shù)據(jù)并降低能耗。

　　“帶寬需求呈現(xiàn)爆炸式增長(zhǎng)，現(xiàn)在迫切需要新一代的光學(xué)互連?！?nbsp;格芯ASIC業(yè)務(wù)部高級(jí)副總裁Mike Cadigan表示，“不管是數(shù)據(jù)中心內(nèi)部芯片之間，還是相隔千里的云服務(wù)器之間，我們的硅光子技術(shù)都能讓客戶在前所未有的連接水平上傳送大量數(shù)據(jù)?！?/p>

　　格芯的硅光子技術(shù)可在單個(gè)硅芯片上并排集成微小光學(xué)組件與電路?！皢涡酒狈桨咐脴?biāo)準(zhǔn)硅制造技術(shù)，提高了客戶部署光學(xué)互連系統(tǒng)的效率，降低了成本。

　　現(xiàn)在可使用300 mm晶圓

　　格芯的當(dāng)代硅光子產(chǎn)品依托90 nm RF SOI工藝，這項(xiàng)工藝充分發(fā)揮了公司在制造高性能射頻(RF)芯片方面積累的一流經(jīng)驗(yàn)。平臺(tái)可以實(shí)施提供30GHz帶寬的解決方案，支持客戶端數(shù)據(jù)傳輸速率達(dá)到800 Gbps，同時(shí)使數(shù)據(jù)傳輸距離增加到120 km。

　　這項(xiàng)技術(shù)先前使用200 mm晶圓工藝，格芯位于紐約州東菲什基爾的10號(hào)晶圓廠現(xiàn)在認(rèn)證了300 mm直徑的晶圓。采用300 mm晶圓有助于提高客戶產(chǎn)能和生產(chǎn)率，讓光子損失減少2倍，擴(kuò)大覆蓋范圍，實(shí)現(xiàn)效率更高的光學(xué)系統(tǒng)。

　　Cadence Design Systems公司用于E/O/E、協(xié)同設(shè)計(jì)、極化、溫度和波長(zhǎng)參數(shù)的完整PDK支持90 nm技術(shù)，并提供差異化光子測(cè)試能力，包括從技術(shù)認(rèn)證和建模到MCM產(chǎn)品測(cè)試的五個(gè)測(cè)試部分。

　　未來路線圖

　　格芯新一代單芯片硅光子產(chǎn)品將采用45 nm RF SOI工藝，計(jì)劃于2019年投入生產(chǎn)。這項(xiàng)技術(shù)利用更先進(jìn)的45 nm節(jié)點(diǎn)，功耗降低，體積減小，用于光學(xué)收發(fā)器產(chǎn)品的帶寬更高，可滿足新一代兆兆位應(yīng)用。