在合肥的內(nèi)存項目不止長鑫一個，總部位于北京的兆易創(chuàng)新公司10月底宣布與合肥市產(chǎn)業(yè)投資控股集團達成了合作協(xié)議，項目預算大約180億元，將開展工藝制程19nm 存儲器的 12 英寸晶圓存儲器(含 DRAM 等)的研發(fā)，目標是在 2018 年12 月 31 日前研發(fā)成功，即實現(xiàn)產(chǎn)品良率(測試電性良好的芯片占整個晶圓的比例)不低于 10%。這是繼長鑫之外另一個重大DRAM項目，也是目前國產(chǎn)DRAM內(nèi)存項目中唯一一個明確公開技術目標的，今年底完成的19nm工藝DRAM內(nèi)存要求可不低，要知道三星目前最先進的DRAM公司也就是18nm工藝而已——當然，三星的是量產(chǎn)，兆易創(chuàng)新的是試產(chǎn)，而且良率要求很低，不低于10%就是成功了，距離量產(chǎn)還很遠。

　　第三個國產(chǎn)內(nèi)存基地是福建晉華，晉華是福建省政府下屬的投資公司，合作方是臺聯(lián)電UMC，沒錯，就是哪個搞代工的聯(lián)電。根據(jù)報道，雙方合作的項目去年就動工了，投資約為53億美元，預計今年Q3季度試產(chǎn)，月產(chǎn)能大約為6萬片晶圓，規(guī)模比其他兩家要小一些。此外，這次的合作模式也比較奇特，聯(lián)電在代工技術上有資本，但在存儲芯片研發(fā)上早前的嘗試并不成功，而且這種東西很燒錢，現(xiàn)在找到了大陸政府基金合作，技術則是依賴聯(lián)電及臺灣方面的r人才，相比之下紫光、合肥長鑫、兆易創(chuàng)新的項目則是強調(diào)本土研發(fā)，雖然也從日本、韓國及臺灣公司挖了不少人才，但主動權至少在大陸公司手里。

　　上述三大國產(chǎn)內(nèi)存項目中，晶圓廠大多還在建設中，進度快的也是今年下半年才開始試產(chǎn)，量產(chǎn)要等到2019年甚至更遠的時間去了，而現(xiàn)在真正能有成品上市的只有紫光西安國芯半導體，原因上面也說了，他們本來就有內(nèi)存生產(chǎn)、研發(fā)的基礎，所以這段時間以來在網(wǎng)上曝光的國產(chǎn)內(nèi)存都跟西安國芯有關，我們來看看西安國芯的DDR內(nèi)存到底怎么樣吧。

　　國產(chǎn)內(nèi)存先鋒：西安紫光國芯率先生產(chǎn)DDR3/DDR4內(nèi)存

　　很多人沒意識到的是，西安紫光國芯的DDR3其實很早就有了，而且在不少行業(yè)已經(jīng)有應用了，比如國產(chǎn)的神威超算等，但在消費級市場并不為人所知，也是這一波內(nèi)存漲價才導致國產(chǎn)內(nèi)存?zhèn)涫荜P注，紫光內(nèi)存也在淘寶上有商家出售了，不過評測很少。在B站上，1月初Fun科技上傳了一個視頻，評測了紫光DDR3-1600 4GB內(nèi)存條，有興趣的可以了解下。

　　從他們的描述來看，紫光DDR3-1600 11-11-11-28時序的內(nèi)存條性能并不比三星、金士頓的差，不過這話其實也是很正常的廢話，內(nèi)存條是很標準的產(chǎn)品，只要頻率、時序符合JEDEC標準，每家的內(nèi)存條性能理論上都應該是一樣的，沒差距實屬正常。好在評測中他們提到紫光DDR3內(nèi)存的超頻性能不錯，似乎能上到DDR3-2000頻率而不需要加壓，這時候三星、金士頓甚至都不能開機。

　　總的來說，紫光的DDR3內(nèi)存條性能、超頻都很不錯，除了外觀略山寨之外，其他挑不出來毛病已經(jīng)是好評了。