高通驍龍6系芯片：下半年升級為10nm工藝
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2月26日，聯(lián)發(fā)科在MWC2018上發(fā)布了Helio P60，它基于臺積電12nmFinFET工藝打造，采用4顆Cortex A73大核+4顆Cortex A53小核組成，CPU最高頻率為2.0GHz，GPU為Mali-G72 MP3，頻率為800MHz。
本文引用地址：http://www.biyoush.com/article/201802/376198.htm它最高支持8GB LPDDR4X內(nèi)存，閃存最高支持UFS 2.1。
從規(guī)格不難看出，聯(lián)發(fā)科Helio P60定位中端，其對標(biāo)的是高通驍龍6系芯片。不過對于高通來說，聯(lián)發(fā)科似乎并沒有對其構(gòu)成威脅。
據(jù)業(yè)內(nèi)人士@草Grass草透露，2018年下半年高通驍龍6系以上芯片全線升級為10nm工藝制程，并開始向4系滲透，對聯(lián)發(fā)科形成全面包圍之勢。
這次升級，不僅使高通驍龍6系芯片性能有所提升，功耗、發(fā)熱控制也會更加優(yōu)秀，屆時(shí)對聯(lián)發(fā)科Helio P60帶來不小的壓力。
根據(jù)此前曝光的消息，高通下一代中端芯片驍龍670將采用10nm工藝制程，其CPU內(nèi)核將會以big.LITTLE架構(gòu)的形式呈現(xiàn)。
它有2顆高端定制Cortes A-75內(nèi)核，用Kryo 300 Gol架構(gòu)搭建;還有6顆低端定制Cortex A-55內(nèi)核，用Kryo 300 Silver架構(gòu)搭建。低端內(nèi)核最高時(shí)鐘速度約為1.7GHz，高端內(nèi)核可達(dá)2.6GHz。
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