三星7nm EUV工廠破土動工：新驍龍將在這里誕生
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編者按：2017年，三星在半導(dǎo)體事業(yè)中的投資達(dá)到了260億美元，創(chuàng)下歷史新高，這主要得益于其存儲芯片的巨大需求。
2月23日消息，三星在官網(wǎng)宣布，投資60億美元(約合人民幣380億)在韓國華城(Hwaseong)興建新的半導(dǎo)體工廠，用于擴(kuò)充7nm EUV的產(chǎn)能。
本文引用地址：http://www.biyoush.com/article/201802/376066.htm該工廠已經(jīng)破土動工，2019年下半年竣工，2020年之前投產(chǎn)。
據(jù)悉，光刻機(jī)最核心的元件就是紫外光源，目前常見的是ArF(氟化氬)，但在7nm時代，必須由波長更短的DUV(深紫外)和EUV(極紫外)進(jìn)行更精細(xì)的繪制工藝。
有趣的是，三星在22號剛剛宣布和高通在5G移動芯片時代達(dá)成合作，后者的驍龍芯片將使用前者的7nm打造。
三星將把EUV設(shè)備使用在7nm LPP(Low Power Plus)節(jié)點(diǎn)上，產(chǎn)品涵蓋手機(jī)、服務(wù)器、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備、高性能數(shù)據(jù)中心等。
資料顯示，三星在韓國還有位于Giheung(京畿道器興)、Pyeongtaek(平澤)的半導(dǎo)體工廠，海外工廠則有兩座，分別位于美國德州的奧斯汀和中國的西安。
鳥瞰華城工廠，圖片來自三星官網(wǎng)
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