今日三星官網(wǎng)發(fā)布新聞稿，三星、高通宣布擴(kuò)大晶圓代工業(yè)務(wù)合作，包含高通下一代5G移動芯片，將采用三星7納米LPP(Low-Power Plus)極紫外光(EUV)制程。

　　新聞稿指出，通過7納米LPP EUV工藝，驍龍(Snapdragon)5G芯片組可減少占位空間，讓OEM廠有更多使用空間增加電池容量或做薄型化設(shè)計(jì)。除此之外，結(jié)合更先進(jìn)芯片設(shè)計(jì)，將可明顯增進(jìn)電池續(xù)航力。

　　該合作計(jì)劃將長達(dá)十年，三星將授權(quán)“EUV光刻工藝技術(shù)”給高通使用，其中包括使用三星7納米LPP EUV工藝技術(shù)制造未來的Snapdragon 5G移動芯片組。

　　去年五月，三星推出了首款使用EUV光刻解決方案的半導(dǎo)體工藝技術(shù)7LPP EUV，預(yù)期可借此突破摩爾定律的擴(kuò)展障礙，為單納米半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展鋪平道路。對照10納米FinFET制程，三星的7納米LPP EUV工序較少、良率較高，而且面積效率提高40%，性能提高10%，功耗降低35%。

　　另外，三星位于華城市(Hwaseong)的7納米廠本周五將動土，預(yù)計(jì)最快明年量產(chǎn)，但預(yù)料趕不上當(dāng)年度Galaxy S10與Note 10的上市時(shí)程。

　　韓國媒體20日報(bào)道稱，三星計(jì)劃投入6兆韓圜(相當(dāng)于56億美元)升級晶圓產(chǎn)能。位于華城市的晶圓新廠將安裝超過10臺EUV光刻設(shè)備，由于每臺EUV設(shè)備要價(jià)皆多達(dá)1,500億韓圜，因此僅采購機(jī)臺費(fèi)用就達(dá)到3～4兆韓圜。此外三星6nm晶圓廠的建設(shè)計(jì)劃，也將在近期公布。

　　相較之下，臺積電今年已開始試產(chǎn)7nm芯片，預(yù)定第2季為聯(lián)發(fā)科推出芯片原型，并于明年初開始全力量產(chǎn)。

　　臺積電采用5nm先進(jìn)制程的12寸晶圓廠今年1月26日正式動土，預(yù)計(jì)第一期廠房明年第一季即可完工裝機(jī)、2020年年初進(jìn)入量產(chǎn)。臺積電公告指出，待2022年第一、二、三期廠房皆進(jìn)入量產(chǎn)時(shí)，年產(chǎn)能預(yù)估可超過100萬片十二寸晶圓。