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            5大跡象顯示內(nèi)存芯片「超級循環(huán)」將結(jié)束

            作者: 時間:2018-02-22 來源:鉅亨網(wǎng) 收藏

              財經(jīng)部落格《Seeking Alpha》專欄作家指出,在蘋果下調(diào) iPhoneX 產(chǎn)量,以及大陸半導(dǎo)體公司預(yù)計在 2019 年將完成廠設(shè)置,的供需出現(xiàn)變化,在產(chǎn)能預(yù)期可提升的情況下,全球 DRAM 的平均售價將降低。

            本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/201802/375905.htm

              《Seeking Alpha》專欄作家 Robert Castellano 表示,有 5 大跡象顯示,的「超級循環(huán)」即將結(jié)束。

              1. 內(nèi)存平均售價呈現(xiàn)下滑

              作者根據(jù) Korea Investment & Securities 提供的數(shù)據(jù),統(tǒng)整 2016 年至 2018 年 NAND 和 DRAM 平均銷售價格 (ASPs),數(shù)據(jù)顯示三星電子 SK 海力士的 NAND 和 DRAM 平均銷售 價格變化,在最近幾季呈現(xiàn)下滑趨勢。

              

              三星 NAND 和 DRAM 平均銷售價格變化

              

              SK 海力士的 NAND 和 DRAM 平均銷售價格變化

              2. 大陸發(fā)改委和三星簽署備忘錄

              大陸國家發(fā)展和改革委員會與三星電子在合作方面簽署備忘錄,將在生產(chǎn)、人工智能與半導(dǎo)體制造等領(lǐng)域進行潛在的合作,業(yè)界分析,雙方的合作將可能使全球 DRAM 降價與增產(chǎn)。

              3. 三星 NAND 閃存擴充產(chǎn)能量減少

              三星電子決定在 2018 年提升內(nèi)存產(chǎn)能,以限制競爭對手的利潤成長,并提高對潛在中國競爭對手的進入壁壘 (Barriers to entry)。 三星原先預(yù)計在韓國平澤的工廠,開辟樓層建立新的 NAND 閃存生產(chǎn)線,但在價格下降后,三星將計劃改為,在二樓部份區(qū)域建立 DRAM 生產(chǎn)線。

              DRAMexchange 預(yù)計 2018 年 DRAM 供給位預(yù)計成長 22.5%,高于 2017 年的約 19.5%。 而 2018 年 DRAM 的收入預(yù)計將成長 30%,遠(yuǎn)低于 2017 年的 76%營收成長。

              4. 大陸廠商完成內(nèi)存生產(chǎn)工廠設(shè)置

              大陸半導(dǎo)體廠商的內(nèi)存工廠,可能最快在 2019 年下旬即可開始營運,位于福建的晉華集成電路公司指出,工程進度加快,預(yù)計在今年 10 月將完成主要工廠的結(jié)構(gòu)建設(shè),而總部位于武漢的長江存儲科技公司將投資 24 億美元 建設(shè) 3 座大型 3D NAND 閃存制造工廠,一號工廠預(yù)計將于 2018 年正式開始生產(chǎn),月產(chǎn)能約為 30 萬片晶圓,最后,位于合肥的睿力集成電路公司,購買了一批 DRAM 生產(chǎn)器具。

              此外,蘋果 (AAPL-US) 正在與長江存儲科技公司接洽,將可能向他們購買內(nèi)存,目前蘋果的 NAND 閃存供貨商為東芝、威騰電子、三星與 SK 海力士。

              5. 蘋果下修 iPhone X 產(chǎn)量達一半

              上海研究公司 CINNO 的分析師 Sean Yang 指出,蘋果為這些芯片的最大消費者,2017 年占全球總需求量的 1.6%,約為 1.6 億千兆位組 (gigabytes)。 iPhone X 的產(chǎn)量減少,意味著內(nèi)存芯片的消費者減少,將使 NAND 和 DRAM 和平均售價上升幅度減緩。



            關(guān)鍵詞: 內(nèi)存 芯片

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