聯(lián)華電子今( 21日)宣布，該公司推出40奈米結合Silicon Storage Technology(SST)嵌入式SuperFlash?非揮發(fā)性記憶體的製程平臺。新推出的40nm奈米SST嵌入式快閃記憶，較量產的55奈米單元尺寸減少20%以上，并使整體記憶體面積縮小了20-30%。東芝電子元件&存儲產品公司已開始評估其微處理器(MCU)晶片于聯(lián)華電子40奈米SST技術平臺的適用性。

　　東芝電子元件&存儲產品公司混合信號晶片部門副總松井俊也表示：「我們期待採用聯(lián)華電子40奈米SST技術有助于提升我們MCU產品的性能。與聯(lián)電合作，透過穩(wěn)定的製造供應及配合我們的生產需求提供靈活的產能，亦將使我們能夠保持強勁的業(yè)務連續(xù)性計劃 (BCP)?！?/p>

　　已有超過20個客戶和產品正以聯(lián)華電子55奈米SST嵌入式快閃記憶體製程進行各階段的生產，包含了SIM卡，金融交易，汽車，物聯(lián)網(wǎng)，MCU及其他應用產品。

　　聯(lián)華電子特殊技術組織協(xié)理丁文琪表示：「自2015年提供55奈米SST嵌入式快閃記憶體成為主流技術以來，我們一直受到客戶的高度關注，藉此製程平臺所具有的低功耗、高可靠度及卓越的數(shù)據(jù)保留和高耐久性的特性，可用于汽車、工業(yè)、消費者和物聯(lián)網(wǎng)的應用。我們很高興將這些產品進入大批量產，并正努力將這嵌入式快閃記憶體解決方案擴展到40奈米的技術平臺，期待將SST的高速度和高可靠性優(yōu)勢帶給東芝和其他晶圓專工客戶?！?/p>

　　聯(lián)華電子堅實的分離式閘極記憶體單元SST製程，依據(jù)JEDEC所制定的規(guī)范標準，具100K耐久性和在85℃及工作溫度范圍為-40℃至125℃溫度下，數(shù)據(jù)可保存10 年以上。除40奈米 SST製程外，還有20多家客戶使用該公司的55奈米SST技術生產各類應用產品。