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            EEPW首頁(yè) > 電源與新能源 > 業(yè)界動(dòng)態(tài) > 英利牽頭主編的多晶硅片、硅錠晶體國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)將填補(bǔ)國(guó)內(nèi)空白

            英利牽頭主編的多晶硅片、硅錠晶體國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)將填補(bǔ)國(guó)內(nèi)空白

            作者: 時(shí)間:2017-12-07 來(lái)源:長(zhǎng)城網(wǎng) 收藏

              12月4日,記者從集團(tuán)了解到,該公司牽頭主編的《太陽(yáng)能級(jí)、硅錠晶體缺陷密度測(cè)定方法》國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)順利進(jìn)入報(bào)批階段,預(yù)計(jì)2018年發(fā)布,將填補(bǔ)國(guó)內(nèi)、硅錠晶體缺陷密度測(cè)試方法的空白。

            本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/201712/372635.htm

              據(jù)了解,國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)《太陽(yáng)能級(jí)多晶硅錠、硅片晶體缺陷密度測(cè)定方法》是采用酸性混合液對(duì)硅片表面進(jìn)行化學(xué)拋光,再使用腐蝕液對(duì)硅片進(jìn)行化學(xué)腐蝕,硅晶體缺陷被優(yōu)先腐蝕并顯現(xiàn)出來(lái),通過(guò)對(duì)不同位置的硅錠取樣片,測(cè)量得到不同部位硅片樣片的晶體缺陷密度,其最終結(jié)果可以表征硅錠的晶體缺陷密度。

              近年來(lái),集團(tuán)大力實(shí)施標(biāo)準(zhǔn)化戰(zhàn)略,高度重視標(biāo)準(zhǔn)化工作,已經(jīng)主持制定和參與制定IEC標(biāo)準(zhǔn)、國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)、行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)等各類(lèi)標(biāo)準(zhǔn)共計(jì)77項(xiàng),主持制定和參與制定標(biāo)準(zhǔn)總數(shù)量位居光伏行業(yè)前列。



            關(guān)鍵詞: 英利 多晶硅片

            評(píng)論


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