日前，中歐第三代半導體高峰論壇在廣東省深圳市舉行，來自中國和歐洲從事碳化硅、氮化鎵等第三代半導體技術研究的200多位知名專家學者和產業(yè)界人士匯聚一堂，探討第三代半導體材料的前沿技術和發(fā)展趨勢。

　　國際權威信息技術研究與顧問咨詢公司高德納發(fā)布的最新預測報告顯示，2017年全球半導體市場總營收將達到4111億美元，較2016年增長19.7%。據統(tǒng)計，全球半導體市場總營收在2014年至2016年間，規(guī)模在3400億美元左右。2017年因內存價格逐季大漲，帶動半導體市場出現強勁增長。2018年半導體市場可望增長4%，達到4274億美元規(guī)模，繼續(xù)創(chuàng)新高。

　　記者從論壇上獲悉，近年來，以碳化硅、氮化鎵等寬禁帶化合物為代表的第三代半導體材料引發(fā)全球矚目。由于其具有禁帶寬、擊穿電場強度高、飽和電子遷移率高、熱導率大、介電常數小、抗輻射能力強等優(yōu)點，可廣泛應用于新能源汽車、軌道交通、智能電網、新一代移動通信、消費類電子等領域，被視為支撐能源、交通、信息、國防等產業(yè)發(fā)展的核心技術，已成為美國、歐洲、日本半導體行業(yè)的重點研究方向。

　　多位出席論壇的專家表示，目前中國在第三代半導體材料研究上緊跟世界前沿，是為數不多的碳化硅材料襯底、材料外延產業(yè)化的國家。深圳青銅劍科技股份有限公司副總裁和巍巍表示，我國第三代半導體器件設計和制造工藝正向世界先進水平邁進，行業(yè)已迎來發(fā)展的春天。深圳市人大常委會副主任、深圳市科學技術協(xié)會主席蔣宇揚表示，廣大科技企業(yè)與科技工作者要緊扣時代脈搏，進一步加大研發(fā)投入、加強國際合作，助力第三代半導體產業(yè)快速發(fā)展。