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            英特爾推出10nm制程工藝 “劍指”三星和臺(tái)積電

            作者: 時(shí)間:2017-09-27 來(lái)源:OFweek電子工程網(wǎng) 收藏
            編者按:英特爾10nm晶體管密度是其競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手10nm的兩倍,數(shù)據(jù)擺在這里,不想承認(rèn)都沒辦法,臺(tái)積電與三星也是壓力倍增。

              2017年9月19日,正式推出制程工藝,并計(jì)劃在今年下半年開始投入生產(chǎn)。在“Intel精尖制造大會(huì)”上,公司執(zhí)行副總裁,運(yùn)營(yíng)與銷售集團(tuán)總裁Stacy J·Smith展示了制程工藝的硅晶圓并表示,晶體管密度是其競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手10nm的兩倍。

            本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/201709/364895.htm


              Intel精尖制造大會(huì)

              作為英特爾的老對(duì)手,臺(tái)積電與三星在硅晶圓制程工藝技術(shù)的研發(fā)步伐也不逞多讓。目前已然穩(wěn)定10nm制程工藝,開始布局7nm工藝。

             三星布局7nm工藝 臺(tái)積電不甘落后

              由于處理器與存儲(chǔ)器芯片的需求不斷增長(zhǎng),三星也開始布局規(guī)劃,并將公司負(fù)責(zé)SOC業(yè)務(wù)的團(tuán)隊(duì)單獨(dú)整合起來(lái)。同時(shí),三星還增加了不少合作伙伴,拓展了市場(chǎng)領(lǐng)域,如物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴設(shè)備以及智能汽車等技術(shù),都將是未來(lái)其發(fā)展方向。

              三星電子表示,“10nm FinFET技術(shù)已經(jīng)非常穩(wěn)定,未來(lái)將發(fā)力7nm技術(shù)的研發(fā)?!钡珮I(yè)內(nèi)也傳出其10nm工藝生產(chǎn)過(guò)程中遭遇到良率問題,并高通多款芯片不得不返回14nm。鑒于10nm工藝的前車之鑒,未來(lái)7nm的產(chǎn)品良率,也不免讓人捏了一把汗啊!

              而與三星在高通10nm訂單爭(zhēng)奪中,臺(tái)積電雖然不幸敗北,但在芯片制程上從而停下腳步。預(yù)計(jì)到2018年,臺(tái)積電7nm芯片將會(huì)正式上市,2020年量產(chǎn)5nm。

              摩爾定律依舊存在

              英特爾一直奉行“摩爾定律”,自去年以來(lái)市場(chǎng)開始懷疑摩爾定律名存實(shí)亡,而在此次Intel精尖制造大會(huì)上,英特爾10nm工藝的推出,再次向全世界宣布,摩爾定律一直存在著。

              英特爾高級(jí)院士、技術(shù)與制造事業(yè)部制程架構(gòu)與集成總監(jiān) Mark Bohr表示,“目前7nm工藝與5nm工藝都在研發(fā)中,未來(lái)摩爾定律將會(huì)繼續(xù)推進(jìn)整個(gè)行業(yè)以及英特爾的發(fā)展,這并不僅僅是技術(shù)的革新,我們的生產(chǎn)以及制程工藝也會(huì)不斷進(jìn)步與發(fā)展?!?/p>

              在此次大會(huì)上,英特爾也列出10nm制程工藝具體數(shù)據(jù),雖然英特爾10nm技術(shù)推出較晚,但是在鰭片間距、柵極間距、最小金屬間距、邏輯單元高度以及邏輯晶體管密度等方面完全秒殺三星與臺(tái)積電的10nm工藝。

              10nm具體工藝數(shù)據(jù)對(duì)比如下


              看完這個(gè)數(shù)據(jù),臺(tái)積電與三星也是壓力倍增,畢竟英特爾的10nm工藝的數(shù)據(jù)擺在這里,不想承認(rèn)都沒辦法。如果明年年末7nm工藝都未能推出的話,那么英特爾有望再次奪回頭把交椅。目前,7nm對(duì)于三星和臺(tái)積電至關(guān)重要。

              10nm市場(chǎng)的狀況

              據(jù)市場(chǎng)數(shù)據(jù)表明,在2017年頂級(jí)手機(jī)處理器方面,所有的手機(jī)廠商不約而同選擇了10nm工藝,這似乎是一個(gè)共識(shí)。無(wú)論是高通驍龍835處理器還是蘋果A11處理器都采用10nm工藝打造,這也成為高端市場(chǎng)的主流趨勢(shì)。

              對(duì)于處理器來(lái)說(shuō),先進(jìn)的工藝會(huì)提升性能,降低功耗,提高續(xù)航。在處理器應(yīng)用方面,優(yōu)秀的圖形處理能力與架構(gòu)搭建則能提升用戶體驗(yàn)感以及運(yùn)行整體流暢性??梢赃@樣說(shuō),先進(jìn)的工藝便如同根基,而圖形處理能力與架構(gòu)搭建則更像建設(shè)的圍墻,萬(wàn)丈高樓平地起,所以先進(jìn)工藝對(duì)于處理器來(lái)說(shuō)則尤為重要。

              從目前市場(chǎng)來(lái)看,三星10nm的工藝銷售量最佳,即使工藝相較臺(tái)積電和英特爾稍差一些,但是三星對(duì)于市場(chǎng)把握極準(zhǔn),提前完成量產(chǎn)上市,收納了一批穩(wěn)定的客戶,可謂占盡天時(shí)地利優(yōu)勢(shì)。而臺(tái)積電與英特爾則稍失先機(jī),還處于追趕態(tài)勢(shì)。

              7nm的藍(lán)海時(shí)代

              對(duì)于芯片制程而言,7nm將有更多難關(guān)需要攻克。據(jù)英特爾透漏,7nm將成為決勝關(guān)鍵,主要原因?yàn)?nm制程工藝以及材料都會(huì)發(fā)生較大的變化。隨著制程技術(shù)的不斷提升,制程節(jié)點(diǎn)也越發(fā)接近物理極限,對(duì)于7nm制程工藝而言,原有元件結(jié)構(gòu)以及材料已經(jīng)不能滿足于工藝的制造。

              據(jù)業(yè)者表示,線寬微縮以及改變通道材料的方式將會(huì)成為未來(lái)制程工藝的研究方向。不管是英特爾還是三星與臺(tái)積電,誰(shuí)能夠率先突破技術(shù)難題,誰(shuí)就掌握了主動(dòng)權(quán)。半導(dǎo)體芯片領(lǐng)域“霸主”之爭(zhēng),仍在繼續(xù)!



            關(guān)鍵詞: 英特爾 10nm

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