NAND Flash產(chǎn)業(yè)鏈的下游市場

　　隨著這些變化，除了主要的Flash原廠以外，其他廠商也在各自的領(lǐng)域提升自己的技術(shù)和產(chǎn)品，以應(yīng)對快速增加的市場與變化(如圖7)。

　　在中國企業(yè)方面，在制造端的產(chǎn)業(yè)鏈也在發(fā)展(如圖8)，除了之前提到的長江存儲(YMTC)外，獨立的主控廠商有硅格、國科、華瀾等。此外，華為、中興等公司也針對自己的產(chǎn)品推出了存儲產(chǎn)品解決方案，品牌模組有江波龍(longsys)、記憶科技等。前不久江波龍公司收購了美光旗下的雷克沙(Lexar)品牌，以進(jìn)一步拓展海外市場。

　　在應(yīng)用端產(chǎn)品方面，中國的互聯(lián)網(wǎng)巨頭以及終端制造巨頭也已進(jìn)入全球主要陣營。2017年中國消耗了全球NAND Flash 30%的產(chǎn)能，到2020年預(yù)計將消耗全球40%的產(chǎn)能，將成為全球最大的市場。未來更多的國際巨頭針對中國市場也會投入更多的資源。對中國市場來說，這些既是機(jī)遇，也是挑戰(zhàn)。

　　此外，我國政府也積極推進(jìn)大數(shù)據(jù)平臺和信息安全的建設(shè)，加上大型互聯(lián)網(wǎng)和電子制造的本土化采購和本地技術(shù)支持，中國在存儲產(chǎn)業(yè)鏈的建設(shè)也逐步加強(qiáng)，例如武漢的國家存儲器基地、南京的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地等。

　　隨著產(chǎn)業(yè)的發(fā)展、需求的提升，未來品質(zhì)會成為行業(yè)不可忽視的一個問題，對此閃存市場公司也設(shè)立了品質(zhì)分析中心。

　　中國閃存市場公司將通過專業(yè)的設(shè)備，測試項目以及專業(yè)的測試人員，為市場提供品質(zhì)分析服務(wù)。

　　目前閃存市場公司正從價格基準(zhǔn)向品質(zhì)基準(zhǔn)延伸(如圖9)。

部分NAND Flash原廠動態(tài)

　　*三星NAND Marketing副總裁Kenny Han：數(shù)據(jù)存儲在加速增長(如圖10)。移動和PC/服務(wù)器是NAND Flash應(yīng)用的兩個主要領(lǐng)域。2017年NAND Flash的需求量是214EB，到2021年將達(dá)到600EB。而在這些數(shù)據(jù)中，2021年預(yù)計超過50%的移動應(yīng)用以及超過30%的PC/服務(wù)器需求來自中國。

　　2013年三星首次發(fā)布3D V-NAND堆疊技術(shù)。到如今，已經(jīng)發(fā)展到第四代。2017年三星量產(chǎn)第四代的V-NAND，64疊層，512Gb單Die(裸片)。第五代產(chǎn)品3D-V5也會在不久的將來面世，單Die容量達(dá)到1Tb，I/O速度達(dá)到1200Mbps。

　　*英特爾中國區(qū)非易失存儲器事業(yè)部總經(jīng)理劉鋼：在數(shù)據(jù)存儲方面，在內(nèi)存DRAM和閃存NAND之間存在一個巨大的鴻溝。這就是內(nèi)存容量太小，閃存又太慢?；?a class="contentlabel" href="http://www.biyoush.com/news/listbylabel/label/3D Xpoint">3D Xpoint的新型存儲正好填補(bǔ)這個鴻溝。從時延看，3D Xpoint比DRAM慢一個數(shù)量級，容量比DRAM高一個數(shù)量級，比NAND Flash時延的角度快了1000倍左右，而容量和NAND Flash是類似的(如圖11)。所以3D Xpoint可以滿足很多熱數(shù)據(jù)的需求。

　　英特爾的OPtane(傲騰)是用3D XPoint的最終產(chǎn)品，它使用3D Xpoint介質(zhì)和英特爾新的存儲控制器、IP和英特爾軟件。傲騰可以用于數(shù)據(jù)中心、消費PC中，實現(xiàn)游戲、事務(wù)處理仿真和人工智能等熱數(shù)據(jù)處理。

　　*美光副總裁Jonathan Shaw：美光第一代3D NAND是32層，從32GB開始做起。現(xiàn)在也可以實現(xiàn)64層堆疊，提升到64GB(如圖12)。64GB可以用于企業(yè)級，因為存儲容量更大，2017年年底會看到其需求量非常大。下一代的QLC價格會降低，同時它的密度會升高，美光會保持QLC的出貨量。

　　關(guān)于SSD市場，首先HDD市場正在萎縮，美光將會在2017年通過基于3D TLC的SSD來取代企業(yè)級HDD。

　　參考文獻(xiàn)：

　　[1]邢雁寧.中國半導(dǎo)體存儲器市場前景.電子產(chǎn)品世界,2016(7):4-7

　　[2]郭祚榮. 2016年全球DRAM市場與趨勢分析.電子產(chǎn)品世界,2016(8):3-5

　　[3]王瑩.車用存儲器市場分析.電子產(chǎn)品世界,2017(4):3-8

　　[4]王瑩,王金旺.車聯(lián)網(wǎng)與自動駕駛關(guān)鍵技術(shù)問題.電子產(chǎn)品世界,2017(5):20-22

　　[5]解冬,劉敏.基于SATA2.0的高速存儲系統(tǒng)設(shè)計實現(xiàn).電子產(chǎn)品世界,2016(7):39-42

　　[6]任華鋒,高傳發(fā),孫振華.一種基于PCIe固態(tài)硬盤存儲系統(tǒng)的設(shè)計和實現(xiàn).電子產(chǎn)品世界,2016(4):64-66

　　本文來源于《電子產(chǎn)品世界》2017年第10期第6頁，歡迎您寫論文時引用，并注明出處。