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            ICinsights:DRAM、NAND售價(jià)已暴漲一年

            作者: 時(shí)間:2017-07-31 來源:集微網(wǎng) 收藏

              IC Insights的報(bào)告顯示, Flash售價(jià)已經(jīng)連續(xù)四個(gè)季度上漲。

            本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/201707/362402.htm

              

            不過因?yàn)樵瓘S紛紛提出擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃,IC Insights稍早憂心忡忡認(rèn)為,未來幾年包括三星電子、SK海力士、美光、英特爾、東芝、西部數(shù)據(jù)、武漢新芯、長江存儲,都大舉提高3D Flash產(chǎn)能,大陸還有新建廠商也會加入戰(zhàn)場,3D Flash產(chǎn)能供過于求的可能性相當(dāng)高。

             

              近期SK海力士宣布今年資本支出追加至86.1億美元,進(jìn)行3D NAND Flash和兩大內(nèi)存擴(kuò)產(chǎn),讓3D NAND存儲器戰(zhàn)火提前引爆。 市場正密切注意三星和美光的動作,擔(dān)心漲勢將提前畫下句點(diǎn)。

              SK海力士無錫廠主要以生產(chǎn)DRAM為主;另在南韓清州廠主要生產(chǎn)3D NAND Flash。 這兩項(xiàng)新建投資原定完工時(shí)間是2019年上半年,如今將提早至明年第4季,比預(yù)定時(shí)間提早半年。

              雖然SK海力士強(qiáng)調(diào)這是投資只要用于技術(shù)升級,即使新廠落成,也不會造成整體內(nèi)存暴增,估計(jì)DRAM和NAND Flash產(chǎn)能只會增加3~5%,不會造成內(nèi)存供過于求,不過業(yè)界擔(dān)心內(nèi)存烏云將提前飄至。



            關(guān)鍵詞: DRAM NAND

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