近日，全球領(lǐng)先的200mm純晶圓代工廠──華虹半導(dǎo)體有限公司(股份代號(hào)：1347.HK)之全資子公司上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司(“華虹宏力”)的“90納米低功耗嵌入式閃存工藝”項(xiàng)目榮獲“國(guó)家金卡工程2017年度金螞蟻獎(jiǎng)-最佳產(chǎn)品配套獎(jiǎng)”。這是華虹宏力連續(xù)多年獲得國(guó)家金卡工程建設(shè)的最高獎(jiǎng)項(xiàng)——金螞蟻獎(jiǎng)，再次印證了華虹宏力在嵌入式非易失性存儲(chǔ)器(eNVM)工藝技術(shù)上的領(lǐng)先地位。

　　此次獲獎(jiǎng)的90納米低功耗嵌入式閃存(eFlash)工藝平臺(tái)由華虹宏力自主研發(fā)，是全球最先進(jìn)的200mm晶圓代工eFlash技術(shù)。該工藝可與標(biāo)準(zhǔn)邏輯工藝完全兼容，并能在同一制程兼容嵌入式電可擦除只讀存儲(chǔ)器;在確保高性能、低功耗和高可靠性的基礎(chǔ)上，提供了極小面積的低功耗閃存IP;具有極高集成度的基本單元庫(kù)，與0.11微米eFlash工藝相比，門密度提升30%以上?；谶@些優(yōu)點(diǎn)，采用華虹宏力90納米低功耗eFlash工藝平臺(tái)制造的芯片面積更小，與0.11微米工藝相比，單片晶圓上的芯片數(shù)量增加30%以上。華虹宏力90納米低功耗eFlash工藝平臺(tái)能夠?yàn)镾IM卡、電子秘鑰(UKey)、單線協(xié)議SWP(Single Wire Protocol)SIM卡、社?？ā⒔煌ǖ戎悄芸óa(chǎn)品、安全芯片產(chǎn)品以及微控制器(MCU)產(chǎn)品等，提供極佳性價(jià)比的芯片制造技術(shù)解決方案。

　　華虹宏力執(zhí)行副總裁孔蔚然博士表示，“華虹宏力伴隨金卡工程一起成長(zhǎng)，通過(guò)持續(xù)在該技術(shù)領(lǐng)域的深耕發(fā)展，已成為智能卡IC生產(chǎn)領(lǐng)域的技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者、全球最大的智能卡IC代工者。隨著90納米eFlash技術(shù)的成功開(kāi)發(fā)，我們會(huì)將越來(lái)越多的智能卡產(chǎn)品持續(xù)導(dǎo)入至90納米。90納米低功耗eFlash工藝以其尺寸小、功耗低、性能高的特點(diǎn)，具有很強(qiáng)的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，將推動(dòng)新一代應(yīng)用的快速發(fā)展。華虹宏力始終堅(jiān)持技術(shù)創(chuàng)新，持續(xù)優(yōu)化產(chǎn)品組合，在保持智能卡市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)的同時(shí)，將積極布局物聯(lián)網(wǎng)引領(lǐng)的MCU市場(chǎng)，為全球客戶提供高效及高性價(jià)比的增值解決方案?！?/p>