來自IBM和佐治亞理工大學(xué)（Georgia Institute of Technology）的研究人員近日宣布，他們研發(fā)的基于SiGe工藝的晶體管工作頻率達(dá)到500GHz，比現(xiàn)有的手機(jī)中所用的晶體管的工作頻率快250倍。到目前為止，只有采用昂貴的III-V族混合半導(dǎo)體材料的IC才能達(dá)到這種性能。

SiGe異質(zhì)結(jié)雙極晶體管工作在 4.5K溫度下，該低溫是通過液氦冷卻獲得。在室溫下，該晶體管的工作頻率為350GHz。測(cè)試實(shí)驗(yàn)是通過佐治亞理工大學(xué)電子設(shè)計(jì)中心的一個(gè)特制的高頻測(cè)試系統(tǒng)完成的。

位于佐治亞理工大學(xué)電子設(shè)計(jì)中心的低溫測(cè)試站在封閉裝置內(nèi)的黑色廣場(chǎng)就是SiGe芯片

雖然該破記錄的速度是在極低溫的環(huán)境下獲得的，但結(jié)果仍然表明SiGe器件的性能上限可能超過人們的最初期望。該研究小組的下一步目標(biāo)是搞清楚這種SiGe晶體管的背后物理原理，為什么在極低溫度下會(huì)出現(xiàn)如此不尋常的性能表現(xiàn)。如想了解更多信息，請(qǐng)與佐治亞理工大學(xué)的John Toon聯(lián)系，電話：001-404-894-6986，Email：@gatech.edu">[email protected]；或者致電IBM的Glen Brandow，電話：001-914-766-4615，Email：[email protected]。