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            聯(lián)發(fā)科與其苦守10nm 不如選用16nm

            作者: 時(shí)間:2017-05-02 來(lái)源:柏銘科技 收藏

              臺(tái)媒報(bào)道,全球第二大手機(jī)芯片企業(yè)在近日確定減少對(duì)臺(tái)積電6月至8月約三分之一的訂單,在當(dāng)前的環(huán)境下是一個(gè)合適的選擇,轉(zhuǎn)而采用FinFET工藝和10nm工藝可以更好的應(yīng)對(duì)高通等芯片企業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)。

            本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/201705/358619.htm
            聯(lián)發(fā)科與其苦守10nm 不如選用16nm

              2016年大賣的芯片是helio P10,當(dāng)時(shí)中國(guó)大陸兩大手機(jī)品牌OPPO和vivo大量采用該款芯片,在OV兩家的出貨量連續(xù)翻倍增長(zhǎng)的情況下,的出貨量也節(jié)節(jié)攀升,甚至一度在中國(guó)大陸市場(chǎng)的份額超過(guò)高通,而helio P10正是采用臺(tái)積電的28nm工藝。

              去年三季度高通的中端芯片驍龍625轉(zhuǎn)而采用三星的14nm FinFET工藝,先進(jìn)工藝帶來(lái)了更好的性能,特別重要的是降低了功耗。驍龍625是八核A53架構(gòu),在14nm FinFET工藝的支持下,表現(xiàn)出了優(yōu)異的性能和功耗,據(jù)測(cè)試該款芯片在運(yùn)行大型游戲等應(yīng)用時(shí)候運(yùn)行非常穩(wěn)定。

              高通的中高端芯片驍龍653則繼續(xù)采用臺(tái)積電的28nm工藝,驍龍653為四核A73+四核A53架構(gòu),A73本就是高性能高功耗的核心,驍龍653雖然較驍龍625有更高的性能,但是被發(fā)現(xiàn)出現(xiàn)一定的發(fā)熱問(wèn)題,在運(yùn)行大型游戲時(shí)候會(huì)由于發(fā)熱量太大性能迅速下降以保持芯片的正常運(yùn)行。

              在驍龍625的優(yōu)異表現(xiàn)影響下,高通今年推出的中高端芯片驍龍653的繼任者驍龍660已確定轉(zhuǎn)而采用三星的14nm FinFET。在高通全面轉(zhuǎn)向更先進(jìn)的14nm FinFET工藝情況影響下,聯(lián)發(fā)科理所應(yīng)當(dāng)放棄落后的28nm工藝。

              不過(guò)聯(lián)發(fā)科今年的錯(cuò)誤在于它太過(guò)于激進(jìn),其高端芯片helio X30和中端芯片helio P35都直接跳過(guò)臺(tái)積電的FinFET轉(zhuǎn)用最先進(jìn)的10nm工藝,希望通過(guò)引入先進(jìn)的工藝實(shí)現(xiàn)在中高端市場(chǎng)同時(shí)挑戰(zhàn)高通的目標(biāo)。

              結(jié)果卻因?yàn)榕_(tái)積電的10nm工藝并沒(méi)能如期在去年底量產(chǎn),正式量產(chǎn)后又遭遇了良率過(guò)低的問(wèn)題被迫進(jìn)行改進(jìn),這就導(dǎo)致了聯(lián)發(fā)科的helio X30一再延期,如今中國(guó)大陸手機(jī)品牌普遍已放棄采用該芯片。聯(lián)發(fā)科的helio P35如果能在二季度量產(chǎn)還能獲得了一些中國(guó)大陸手機(jī)品牌采用,如果延遲到三季度投產(chǎn)的話那時(shí)候又要與蘋(píng)果的A11處理器搶10nm工藝產(chǎn)能,從臺(tái)積電一直優(yōu)先照顧蘋(píng)果的情況來(lái)看真到那時(shí)P35的量產(chǎn)必然又只得再延期了。

              在這種情況下,偏偏聯(lián)發(fā)科還遭遇了另一個(gè)問(wèn)題,那就是中國(guó)移動(dòng)早在2015年底就宣布要求手機(jī)廠商和芯片廠商要支持LTE Cat7以上技術(shù),中國(guó)移動(dòng)占有中國(guó)智能手機(jī)市場(chǎng)約六成市場(chǎng)份額,對(duì)智能手機(jī)市場(chǎng)有重要的影響力。聯(lián)發(fā)科在helio X30和P35上市之前,其他手機(jī)芯片都只能最高支持LTE Cat6技術(shù),這也是中國(guó)大陸手機(jī)品牌紛紛放棄聯(lián)發(fā)科芯片的重要原因之一。

              筆者認(rèn)為,聯(lián)發(fā)科在當(dāng)下應(yīng)該放棄10nm工藝,轉(zhuǎn)而采用臺(tái)積電的FinFET或該工藝的改進(jìn)版即12nm FinFET,這兩項(xiàng)工藝技術(shù)成熟,產(chǎn)能充足,而在能效方面比三星的14nm FinFET更先進(jìn),同樣有助于它與高通競(jìng)爭(zhēng),以迅速穩(wěn)住當(dāng)下正逐漸流失的中國(guó)大陸手機(jī)品牌客戶。



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