英特爾在 14 奈米遭遇困難，目前開發(fā) 10 奈米似乎也有類似問題，雖然英特爾從未說明困難之處，但似乎已投入更多資源，試圖克服這個難纏的技術(shù)瓶頸，務(wù)求避免 7 奈米再度重蹈覆轍。

　　美國財經(jīng)網(wǎng)站 The Motley Fool 分析英特爾 10-K 年報指出，英特爾 2016 年的技術(shù)研發(fā)(R&D)支出較前年增加 5%，或相當(dāng)于 6.12 億美元，理由之一正是 7 奈米開發(fā)成本提高。

　　英特爾之前投注在開發(fā)新芯片制造技術(shù)的資源已非常龐大，或許是業(yè)界之冠，去年又再往上加碼，且明寫在年報上，似在昭告天下英特爾非常重視，至于金額是否足夠克服障礙，則有待追蹤。

　　7 奈米預(yù)料將是下一個先進(jìn)制程的決戰(zhàn)場，雖然砸錢不代表 7 奈米就能順利投產(chǎn)，但至少展現(xiàn)英特爾放手一搏的決心，也提高超前同業(yè)推出更優(yōu)異產(chǎn)品的機(jī)會。

　　ICinsigt 日前公布 2016 年半導(dǎo)體研發(fā)支出前十大廠顯示，英特爾以 127.4 億美元位居榜首，三星 28.8 億美元排第四，臺積電 22.15 億美元排第六。