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            EEPW首頁 > 網(wǎng)絡(luò)與存儲 > 設(shè)計(jì)應(yīng)用 > 效率最好的內(nèi)存測試電路開發(fā)環(huán)境

            效率最好的內(nèi)存測試電路開發(fā)環(huán)境

            作者: 時(shí)間:2017-02-14 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

              1.概述:整合性內(nèi)存自我測試電路產(chǎn)生環(huán)境-

            本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/201702/343955.htm

              是從整體的芯片設(shè)計(jì)切入,利用硬件架構(gòu)共享的觀念,可以大幅減少測試電路的門數(shù) (Gate Count),并且讓使用者能輕易產(chǎn)生優(yōu)化的BIST電路。可以自動(dòng)的判讀內(nèi)存并將其分群 (Grouping),從產(chǎn)品設(shè)計(jì)前端大幅提升測試良率、降低測試成本,提高產(chǎn)業(yè)競爭力。Brains的五級到七級的彈性化管線式架構(gòu),可以滿足快速的需求,目前最高測試的速度已經(jīng)可以達(dá)到1.2GHz,整體BIST電路的門數(shù)平均只需200個(gè)門數(shù)。另外為了簡化嵌入電路的復(fù)雜度,Brains只需簡單步驟即可完成電路的設(shè)計(jì)與嵌入。Brains的先進(jìn)功能可以大幅縮減DPPM與降低芯片測試成本進(jìn)而降低整體芯片成本,增加產(chǎn)品的可靠度以及增加產(chǎn)品的競爭力。

              圖1-1. 傳統(tǒng)BIST示意圖

              圖1-2. 傳統(tǒng)Memory Testing解決方案

              圖1-3. 厚翼科技的BIST示意圖

              圖1-4. 厚翼科技的解決方案

              2. Brains架構(gòu)

              Brains是一個(gè)內(nèi)存測試電路整合性開發(fā)環(huán)境,基本架構(gòu)圖如下:

              圖2-1. BRAINS執(zhí)行架構(gòu)圖

              Brains 輸入檔:

              RTL Verilog : 包含memory models 的Top HDL design檔案

              Memory Modules : Memory models verilog檔案

              UDM Files : 用戶自定義內(nèi)存檔案

              Brains 輸出檔:

              RTL Verilog with BIST : 整入BIST電路的top HDL design檔案

              Synthesis Scripts : 合成相關(guān)scripts檔案

              RTL BIST Verilog : BIST 電路verilog檔案

              Fault Memory : 整入error bit之memory models

              Test Bench : 供BIST 電路仿真用之Testbench

              3. 功能描述

              BRAINS有下列功能:

              n 支持RTL和Gate-level格式

              n 透過BFL (Brains Feature List)設(shè)定BRAINS的功能

              n 自動(dòng)進(jìn)行內(nèi)存判別

              n 自動(dòng)產(chǎn)生Testbench

              n 自動(dòng)嵌入 BIST到原設(shè)計(jì)

              n 自動(dòng)追蹤 Cock Source

              n 透過UDM (User Defined Memory) 檔案支持用戶自行定義的內(nèi)存

              4. 實(shí)作流程

              Brains實(shí)作支援Top-down Flow和Bottom-up Flow,以下針對Top-down Flow加以介紹。

              Brains BFL Flow – Top-down Flow

              本章節(jié)介紹如何透過BFL檔案,并搭配Top-down 流程,來產(chǎn)生相對應(yīng)之BIST電路。本章節(jié)提及之example case及相關(guān)文件,使用者若有需求,可與厚翼科技聯(lián)絡(luò),進(jìn)行索取。

              4.1 解壓縮 Example Case

              unix% tar xvfz multi_lab.tgz

              unix% cd multi_lab/top_down_lab

              4.2 建立 File-List 檔案 (*.f file)

              完整的File-List 檔案可讓Brains 的執(zhí)行更加順利,完整的File-List 檔案包含design verilog 檔案所使用的memory model 檔案,相關(guān)的standard cell 和macro檔案如下:

              n Design.v (RTL or netlist)

              n Memory.v

              n Standard_cell.v (when your design is netlist)

              n Parameter, e.g. +define+、+incdir+PATH/DIR …

              圖4-1為 run.f 檔案之范例,用戶可依照此格式來產(chǎn)生相對應(yīng)的File-List 檔案。

              圖4-1. run.f 檔案范例

              4.3 其它輸入檔案

              n 如果使用者有特殊grouping需求,則可提供相關(guān)輸入檔案。如:*.def檔案或*.meminfo 檔案。*.def檔案可讓Brains依據(jù)實(shí)際memory model 擺放位置來做grouping。*.meminfo 檔案則可讓Brains依據(jù)使用者想要的grouping架構(gòu)來執(zhí)行。

              n Memory model library檔案:此檔案可讓Brains依據(jù)其中所定義之power數(shù)值,來做為grouping的條件。

              4.4 Memory Model 檢查功能 (Optional)

              Brains 可幫助使用者識別出design 中所包含的memory model。用戶可使用memchecker 指令來檢查所使用到的memory models。詳細(xì)執(zhí)行流程請參考Brains quick start guide文件,附錄A。

              如果design中有memory model無法自動(dòng)被Brains識別出來時(shí),使用者可自行編寫 UDM 檔案,該檔案用來描述memory models 相關(guān)腳位及讀寫行為。詳細(xì)定義請參考brains_udm_ug.pdf文件。


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